Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками
Проведено експериментальні дослідження залежностей термоЕРС і електропровідності р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ та n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, вирощених методом вертикальної зонної плавки, залежно від рівня легування синтезованих зливків. Встановлено, що збільшення співвідношення...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115607 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 117-121. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115607 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Павлович, І.І. Копил, О.І. Томашик, В.М. 2017-04-07T19:24:57Z 2017-04-07T19:24:57Z 2010 Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 117-121. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115607 612.315.592.546.28 Проведено експериментальні дослідження залежностей термоЕРС і електропровідності р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ та n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, вирощених методом вертикальної зонної плавки, залежно від рівня легування синтезованих зливків. Встановлено, що збільшення співвідношення кількості носіїв заряду, утворених домішками (Pb, I), відносно інших дефектів, у тому числі й антиструктурних, сприяє збільшенню термоелектричної ефективності (α²σ) і зменшує термічну деградацію матеріалу за робочих температур гарячого спаю генератора ~650 К. Показано, що у разі легування свинцем p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ масовою часткою понад 0,6 %, відбувається насичення. Використання такого матеріалу для створення термоелектричних генераторів дало можливість збільшити коефіцієнт корисної дії модуля на 18 %. The experimental investigation of dependencies of the thermal electromotive force and electroconductivity of р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ and n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, grown by the vertical zone melting, depending on doping of the synthesized ingots has been carried out. It was established that an increase of the ratio of charge carriers, formed by the impurities (Pb, I), with respect to other defects, including antisite defects, leads to the increase of thermoelectric efficiency (α²σ) and a decrease of the material thermal degradation at the working temperature of the hot generator junction ~650 К. It was shown that the doping of the p- (Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ by lead higher than 0,6 % mass. % leads to the saturation. The use of such materials for manufacturing the thermoelectric generator allows to increase the module efficiency by 18 %. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками Doping of thermoelectric material by electroactive impurities Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
| spellingShingle |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками Павлович, І.І. Копил, О.І. Томашик, В.М. |
| title_short |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
| title_full |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
| title_fullStr |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
| title_full_unstemmed |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
| title_sort |
легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками |
| author |
Павлович, І.І. Копил, О.І. Томашик, В.М. |
| author_facet |
Павлович, І.І. Копил, О.І. Томашик, В.М. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Doping of thermoelectric material by electroactive impurities |
| description |
Проведено експериментальні дослідження залежностей термоЕРС і електропровідності р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ та n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, вирощених методом вертикальної зонної плавки, залежно від рівня легування синтезованих зливків. Встановлено, що збільшення співвідношення кількості носіїв заряду, утворених домішками (Pb, I), відносно інших дефектів, у тому числі й антиструктурних, сприяє збільшенню термоелектричної ефективності (α²σ) і зменшує термічну деградацію матеріалу за робочих температур гарячого спаю генератора ~650 К. Показано, що у разі легування свинцем p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ масовою часткою понад 0,6 %, відбувається насичення. Використання такого матеріалу для створення термоелектричних генераторів дало можливість збільшити коефіцієнт корисної дії модуля на 18 %.
The experimental investigation of dependencies of the thermal electromotive force and electroconductivity of р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ and n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, grown by the vertical zone melting, depending on doping of the synthesized ingots has been carried out. It was established that an increase of the ratio of charge carriers, formed by the impurities (Pb, I), with respect to other defects, including antisite defects, leads to the increase of thermoelectric efficiency (α²σ) and a decrease of the material thermal degradation at the working temperature of the hot generator junction ~650 К. It was shown that the doping of the p-
(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ by lead higher than 0,6 % mass. % leads to the saturation. The use of such materials for manufacturing the thermoelectric generator allows to increase the module efficiency by 18 %.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115607 |
| citation_txt |
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 117-121. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT pavlovičíí leguvannâtermoelektričnogomateríaluelektroaktivnimidomíškami AT kopiloí leguvannâtermoelektričnogomateríaluelektroaktivnimidomíškami AT tomašikvm leguvannâtermoelektričnogomateríaluelektroaktivnimidomíškami AT pavlovičíí dopingofthermoelectricmaterialbyelectroactiveimpurities AT kopiloí dopingofthermoelectricmaterialbyelectroactiveimpurities AT tomašikvm dopingofthermoelectricmaterialbyelectroactiveimpurities |
| first_indexed |
2025-12-07T20:04:11Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:04:11Z |
| _version_ |
1850881187874078720 |