Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния

Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния

Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усилен...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Дата:2010
Автори: Власенко, Н.А., Сопинский, Н.В., Гуле, Е.Г., Велигура, Л.И., Братусь, В.Я., Мельник, Р.С., Денисова, З.Л., Мухльо, М.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115612
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 76-82. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115612
record_format dspace
spelling Власенко, Н.А.
Сопинский, Н.В.
Гуле, Е.Г.
Велигура, Л.И.
Братусь, В.Я.
Мельник, Р.С.
Денисова, З.Л.
Мухльо, М.А.
2017-04-07T20:25:58Z
2017-04-07T20:25:58Z
2010
Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 76-82. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
0233-7577
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115612
546.28, 535.376, 661.665
Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усиление фотолюминесценции (ФЛ) наблюдается в случае пленок SiOx с меньшей плотностью оборванных связей, которые получены прерывистым нанесением. Обнаружено существенное различие во влиянии отжига на воздухе при температуре до 1000 °С на краевую ФЛ Si-пластин с нанесенной пленкой SiOx и без нее. Объяснение причин выявленного различия базируется на экспериментальных результатах и анализе изменений, происходящих при отжиге Si, пленки SiOx, и на интерфейсе с-Si—SiOx.
It is shown that edge photoluminescence (PL) of p-Si wafers is enhanced at spectrum maximum (λmax = 1130—1140 nm) by a factor of 4—5 after deposition of SiOx film (x = 1,2—1,3) by thermal evaporation of silicon monoxide. This is accompanied by relative enhancement of the shortwave part of the spectrum. The increase of the PL intensity is higher in the case of films with lower density of dangling bonds, which have been obtained by interrupting deposition. It has been found that the influence of annealing in usual atmosphere air up to 1000 °C on the edge PL is essentially different for the Si wafer with and without SiOx film. The reasons of this difference are explained as based on the experimental results and the analysis of the annealing-induced changes in SiOx film and at c-Si—SiOx interface.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
Influence of SiOx film deposited by thermal evaporation on the edge luminescence of monocrystalline silicon
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
spellingShingle Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
Власенко, Н.А.
Сопинский, Н.В.
Гуле, Е.Г.
Велигура, Л.И.
Братусь, В.Я.
Мельник, Р.С.
Денисова, З.Л.
Мухльо, М.А.
title_short Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
title_full Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
title_fullStr Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
title_full_unstemmed Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
title_sort влияние пленки siox, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния
author Власенко, Н.А.
Сопинский, Н.В.
Гуле, Е.Г.
Велигура, Л.И.
Братусь, В.Я.
Мельник, Р.С.
Денисова, З.Л.
Мухльо, М.А.
author_facet Власенко, Н.А.
Сопинский, Н.В.
Гуле, Е.Г.
Велигура, Л.И.
Братусь, В.Я.
Мельник, Р.С.
Денисова, З.Л.
Мухльо, М.А.
publishDate 2010
language Russian
container_title Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Influence of SiOx film deposited by thermal evaporation on the edge luminescence of monocrystalline silicon
description Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает относительную интенсивность коротковолновой его части. Значительное усиление фотолюминесценции (ФЛ) наблюдается в случае пленок SiOx с меньшей плотностью оборванных связей, которые получены прерывистым нанесением. Обнаружено существенное различие во влиянии отжига на воздухе при температуре до 1000 °С на краевую ФЛ Si-пластин с нанесенной пленкой SiOx и без нее. Объяснение причин выявленного различия базируется на экспериментальных результатах и анализе изменений, происходящих при отжиге Si, пленки SiOx, и на интерфейсе с-Si—SiOx. It is shown that edge photoluminescence (PL) of p-Si wafers is enhanced at spectrum maximum (λmax = 1130—1140 nm) by a factor of 4—5 after deposition of SiOx film (x = 1,2—1,3) by thermal evaporation of silicon monoxide. This is accompanied by relative enhancement of the shortwave part of the spectrum. The increase of the PL intensity is higher in the case of films with lower density of dangling bonds, which have been obtained by interrupting deposition. It has been found that the influence of annealing in usual atmosphere air up to 1000 °C on the edge PL is essentially different for the Si wafer with and without SiOx film. The reasons of this difference are explained as based on the experimental results and the analysis of the annealing-induced changes in SiOx film and at c-Si—SiOx interface.
issn 0233-7577
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115612
citation_txt Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния / Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 76-82. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT vlasenkona vliânieplenkisioxnanesennoitermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT sopinskiinv vliânieplenkisioxnanesennoitermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT guleeg vliânieplenkisioxnanesennoitermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT veligurali vliânieplenkisioxnanesennoitermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT bratusʹvâ vliânieplenkisioxnanesennoitermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT melʹnikrs vliânieplenkisioxnanesennoitermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT denisovazl vliânieplenkisioxnanesennoitermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT muhlʹoma vliânieplenkisioxnanesennoitermičeskimispareniemnakraevuûlûminescenciûmonokristalličeskogokremniâ
AT vlasenkona influenceofsioxfilmdepositedbythermalevaporationontheedgeluminescenceofmonocrystallinesilicon
AT sopinskiinv influenceofsioxfilmdepositedbythermalevaporationontheedgeluminescenceofmonocrystallinesilicon
AT guleeg influenceofsioxfilmdepositedbythermalevaporationontheedgeluminescenceofmonocrystallinesilicon
AT veligurali influenceofsioxfilmdepositedbythermalevaporationontheedgeluminescenceofmonocrystallinesilicon
AT bratusʹvâ influenceofsioxfilmdepositedbythermalevaporationontheedgeluminescenceofmonocrystallinesilicon
AT melʹnikrs influenceofsioxfilmdepositedbythermalevaporationontheedgeluminescenceofmonocrystallinesilicon
AT denisovazl influenceofsioxfilmdepositedbythermalevaporationontheedgeluminescenceofmonocrystallinesilicon
AT muhlʹoma influenceofsioxfilmdepositedbythermalevaporationontheedgeluminescenceofmonocrystallinesilicon
first_indexed 2025-12-02T06:42:29Z
last_indexed 2025-12-02T06:42:29Z
_version_ 1850861784848662528

Схожі ресурси