Ащеулов, А., Галочкин, А., Романюк, И., & Дремлюженко, С. (2016). Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Ащеулов, А.А, А.В Галочкин, И.С Романюк, та С.Г Дремлюженко. Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Ащеулов, А.А, et al. Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.