APA-Zitierstil (7. Ausg.)

Ащеулов, А., Галочкин, А., Романюк, И., & Дремлюженко, С. (2016). Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)

Ащеулов, А.А, А.В Галочкин, И.С Романюк, und С.Г Дремлюженко. Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.

MLA-Zitierstil (8. Ausg.)

Ащеулов, А.А, et al. Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.