APA (7th ed.) Citation

Ащеулов, А., Галочкин, А., Романюк, И., & Дремлюженко, С. (2016). Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Ащеулов, А.А, А.В Галочкин, И.С Романюк, and С.Г Дремлюженко. Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.

MLA (8th ed.) Citation

Ащеулов, А.А, et al. Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.