Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115674 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки / А.А. Ащеулов, А.В. Галочкин, И.С. Романюк, С.Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 3-7. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862540328301494272 |
|---|---|
| author | Ащеулов, А.А. Галочкин, А.В. Романюк, И.С. Дремлюженко, С.Г. |
| author_facet | Ащеулов, А.А. Галочкин, А.В. Романюк, И.С. Дремлюженко, С.Г. |
| citation_txt | Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки / А.А. Ащеулов, А.В. Галочкин, И.С. Романюк, С.Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 3-7. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования электрических параметров этих фотодиодных структур показали, что высота потенциального барьера составляет 0,41 эВ, а величина обратного темнового тока не превышает 4 мкА. Созданные устройства сохраняют свою работоспособность при дозах гамма-облучения 2x10⁸ бэр.
Представлено конструкцію і технологію виготовлення структури фотодіода Шотткі на основі підкладки з радіаційно стійкого кристала n-/In₂Hg₃Te₆ з бар'єрним шаром з Cr, що характеризується фотовідповіддю в області 0,6—1,6 мкм при максимальній чутливості 0,43 А/Вт на довжині хвилі 1,55 мкм. Дослідження електричних параметрів цих фотодіодних структур показали, що висота потенційного бар'єру складає 0,41 еВ, а величина зворотного темнового струму не перевищує 4 мкА. Створені пристрої зберігають свою працездатність при дозах гама-опромінення 2x10⁸ бер.
Schottky photodiode structure was designed on the base of this semiconductor formed by a modified floating zone recrystallization technique where the sedimentation effect was leveled. It consists of n-In₂Hg₃Te₆ substrate and deposited by cathode sputtering Cr barrier layer of thickness within a range 10-11 nm choice of Cr is determined by its optimal optical, electric and adhesive features in high quality radiation-resistant photodiode structures manufacturing. Indium and nichrome are used as ohmic contacts. The barrier structures have the contact area of 1,13 mm² with photo response of 0,6-1,6 mm at the maximal sensitivity 0,43 A/W on the wavelength l,55 mm. Reverse dark current of these structures do not exceed 4 mA at the bias of 1 V (T=295 K), and the potential barrier height is equal to 0,41 eV. The tests of radiation resistance of these structures demonstrated their ability to function at doses of 2x10⁸ rem without evident parameters changes. This allows using them in practical aims in the conditions of high radiation.
|
| first_indexed | 2025-11-24T16:04:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115674 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T16:04:03Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ащеулов, А.А. Галочкин, А.В. Романюк, И.С. Дремлюженко, С.Г. 2017-04-09T15:20:20Z 2017-04-09T15:20:20Z 2016 Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки / А.А. Ащеулов, А.В. Галочкин, И.С. Романюк, С.Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 3-7. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2016.2-3.0 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115674 621.383.526, 621.793 Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования электрических параметров этих фотодиодных структур показали, что высота потенциального барьера составляет 0,41 эВ, а величина обратного темнового тока не превышает 4 мкА. Созданные устройства сохраняют свою работоспособность при дозах гамма-облучения 2x10⁸ бэр. Представлено конструкцію і технологію виготовлення структури фотодіода Шотткі на основі підкладки з радіаційно стійкого кристала n-/In₂Hg₃Te₆ з бар'єрним шаром з Cr, що характеризується фотовідповіддю в області 0,6—1,6 мкм при максимальній чутливості 0,43 А/Вт на довжині хвилі 1,55 мкм. Дослідження електричних параметрів цих фотодіодних структур показали, що висота потенційного бар'єру складає 0,41 еВ, а величина зворотного темнового струму не перевищує 4 мкА. Створені пристрої зберігають свою працездатність при дозах гама-опромінення 2x10⁸ бер. Schottky photodiode structure was designed on the base of this semiconductor formed by a modified floating zone recrystallization technique where the sedimentation effect was leveled. It consists of n-In₂Hg₃Te₆ substrate and deposited by cathode sputtering Cr barrier layer of thickness within a range 10-11 nm choice of Cr is determined by its optimal optical, electric and adhesive features in high quality radiation-resistant photodiode structures manufacturing. Indium and nichrome are used as ohmic contacts. The barrier structures have the contact area of 1,13 mm² with photo response of 0,6-1,6 mm at the maximal sensitivity 0,43 A/W on the wavelength l,55 mm. Reverse dark current of these structures do not exceed 4 mA at the bias of 1 V (T=295 K), and the potential barrier height is equal to 0,41 eV. The tests of radiation resistance of these structures demonstrated their ability to function at doses of 2x10⁸ rem without evident parameters changes. This allows using them in practical aims in the conditions of high radiation. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новые технологии Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки Радіаційно стійка фотоструктура на основі Cr//In₂Hg₃Te₆ для діода Шотткі Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In₂Hg₃Te₆ Article published earlier |
| spellingShingle | Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки Ащеулов, А.А. Галочкин, А.В. Романюк, И.С. Дремлюженко, С.Г. Новые технологии |
| title | Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки |
| title_alt | Радіаційно стійка фотоструктура на основі Cr//In₂Hg₃Te₆ для діода Шотткі Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In₂Hg₃Te₆ |
| title_full | Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки |
| title_fullStr | Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки |
| title_full_unstemmed | Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки |
| title_short | Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки |
| title_sort | радиационно стойкая фотоструктура на основе cr/in₂hg₃te₆ для диода шоттки |
| topic | Новые технологии |
| topic_facet | Новые технологии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115674 |
| work_keys_str_mv | AT aŝeulovaa radiacionnostoikaâfotostrukturanaosnovecrin2hg3te6dlâdiodašottki AT galočkinav radiacionnostoikaâfotostrukturanaosnovecrin2hg3te6dlâdiodašottki AT romanûkis radiacionnostoikaâfotostrukturanaosnovecrin2hg3te6dlâdiodašottki AT dremlûženkosg radiacionnostoikaâfotostrukturanaosnovecrin2hg3te6dlâdiodašottki AT aŝeulovaa radíacíinostíikafotostrukturanaosnovícrin2hg3te6dlâdíodašottkí AT galočkinav radíacíinostíikafotostrukturanaosnovícrin2hg3te6dlâdíodašottkí AT romanûkis radíacíinostíikafotostrukturanaosnovícrin2hg3te6dlâdíodašottkí AT dremlûženkosg radíacíinostíikafotostrukturanaosnovícrin2hg3te6dlâdíodašottkí AT aŝeulovaa radiationresistantphotostructureforschottkydiodebasedoncrin2hg3te6 AT galočkinav radiationresistantphotostructureforschottkydiodebasedoncrin2hg3te6 AT romanûkis radiationresistantphotostructureforschottkydiodebasedoncrin2hg3te6 AT dremlûženkosg radiationresistantphotostructureforschottkydiodebasedoncrin2hg3te6 |