Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования...
Saved in:
| Date: | 2016 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115674 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки / А.А. Ащеулов, А.В. Галочкин, И.С. Романюк, С.Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 3-7. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |