Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2016
• Main Authors: Алиева, А.П., Кахраманов, С.Ш., Кахраманов, А.Ш.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115682
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения / А.П. Алиева, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 49-52. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi₂Te₃<Cu>, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период кристаллизации между слоями Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ и в дефектных центрах, перпендикулярно поверхности кристалла (0001), которое завершается образованием диссипативных наноструктур. Установлено, что наиболее значительно изменяются термоэлектрические свойства кристаллов, легированных индием. Досліджено зміну термоелектричних властивостей кристалів Bi₂Te₃<Cu>, легованих вісмутом та індієм, під час їх зберіганн я. Показано, що це пов'язано з самовільним перетіканн ям атомів Cu, які осіли в початковий період кристалізації між шарами Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ та в дефектн их цент рах, перпендикулярно поверхні кристала (0001), яке завершується утворенн ям дисипативних наноструктур. Встановлено, що найбільш істотн о змінюються термоелектричні властивості кристалів, легованих індієм. The authors investigate the change in the thermoelectric properties of Bi₂Te₃<Cu> crystals doped by bismuth and indium during their storage. It is shown that such change is caused by the spontaneous overflow of Cu atoms deposited during the initial crystallization period between Te⁽²⁾-Bi and Bi-Te⁽²⁾ layers, and in defect centers perpendicularly to the surface of the crystal (0001), which culminates in the formation of dissipative nanostructures. It was found that thermoelectric properties of crystals doped with indium undergo the most significant change.