Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения
Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi₂Te₃<Cu>, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период кристаллизации между слоями Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ и в дефектных центра...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115682 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения / А.П. Алиева, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 49-52. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862728695451484160 |
|---|---|
| author | Алиева, А.П. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. |
| author_facet | Алиева, А.П. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. |
| citation_txt | Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения / А.П. Алиева, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 49-52. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi₂Te₃<Cu>, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период кристаллизации между слоями Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ и в дефектных центрах, перпендикулярно поверхности кристалла (0001), которое завершается образованием диссипативных наноструктур. Установлено, что наиболее значительно изменяются термоэлектрические свойства кристаллов, легированных индием.
Досліджено зміну термоелектричних властивостей кристалів Bi₂Te₃<Cu>, легованих вісмутом та індієм, під час їх зберіганн я. Показано, що це пов'язано з самовільним перетіканн ям атомів Cu, які осіли в початковий період кристалізації між шарами Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ та в дефектн их цент рах, перпендикулярно поверхні кристала (0001), яке завершується утворенн ям дисипативних наноструктур. Встановлено, що найбільш істотн о змінюються термоелектричні властивості кристалів, легованих індієм.
The authors investigate the change in the thermoelectric properties of Bi₂Te₃<Cu> crystals doped by bismuth and indium during their storage. It is shown that such change is caused by the spontaneous overflow of Cu atoms deposited during the initial crystallization period between Te⁽²⁾-Bi and Bi-Te⁽²⁾ layers, and in defect centers perpendicularly to the surface of the crystal (0001), which culminates in the formation of dissipative nanostructures. It was found that thermoelectric properties of crystals doped with indium undergo the most significant change.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:10:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115682 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:10:27Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Алиева, А.П. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. 2017-04-09T15:42:38Z 2017-04-09T15:42:38Z 2016 Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения / А.П. Алиева, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 49-52. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2016.2-3.49 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115682 546.87/86”24:54-165 Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi₂Te₃<Cu>, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период кристаллизации между слоями Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ и в дефектных центрах, перпендикулярно поверхности кристалла (0001), которое завершается образованием диссипативных наноструктур. Установлено, что наиболее значительно изменяются термоэлектрические свойства кристаллов, легированных индием. Досліджено зміну термоелектричних властивостей кристалів Bi₂Te₃<Cu>, легованих вісмутом та індієм, під час їх зберіганн я. Показано, що це пов'язано з самовільним перетіканн ям атомів Cu, які осіли в початковий період кристалізації між шарами Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ та в дефектн их цент рах, перпендикулярно поверхні кристала (0001), яке завершується утворенн ям дисипативних наноструктур. Встановлено, що найбільш істотн о змінюються термоелектричні властивості кристалів, легованих індієм. The authors investigate the change in the thermoelectric properties of Bi₂Te₃<Cu> crystals doped by bismuth and indium during their storage. It is shown that such change is caused by the spontaneous overflow of Cu atoms deposited during the initial crystallization period between Te⁽²⁾-Bi and Bi-Te⁽²⁾ layers, and in defect centers perpendicularly to the surface of the crystal (0001), which culminates in the formation of dissipative nanostructures. It was found that thermoelectric properties of crystals doped with indium undergo the most significant change. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения Вплив само інтеркал яції міді на Термоелектричні властивості легованих кристалів Bi₂Te₃<Cu> під час їх зберіганя Influence of copper intercalation on thermoelectric properties change in Bi₂Te₃ <Cu> doped crystals during storage Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения Алиева, А.П. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Материалы электроники |
| title | Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_alt | Вплив само інтеркал яції міді на Термоелектричні властивості легованих кристалів Bi₂Te₃<Cu> під час їх зберіганя Influence of copper intercalation on thermoelectric properties change in Bi₂Te₃ <Cu> doped crystals during storage |
| title_full | Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_fullStr | Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_full_unstemmed | Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_short | Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_sort | влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов bi₂te₃<cu> в процессе их хранения |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115682 |
| work_keys_str_mv | AT alievaap vliâniesamointerkalâciimedinatermoélektričeskiesvoistvalegirovannyhkristallovbi2te3ltcuvprocesseihhraneniâ AT kahramanovsš vliâniesamointerkalâciimedinatermoélektričeskiesvoistvalegirovannyhkristallovbi2te3ltcuvprocesseihhraneniâ AT kahramanovaš vliâniesamointerkalâciimedinatermoélektričeskiesvoistvalegirovannyhkristallovbi2te3ltcuvprocesseihhraneniâ AT alievaap vplivsamoínterkalâcíímídínatermoelektričnívlastivostílegovanihkristalívbi2te3ltcupídčasíhzberíganâ AT kahramanovsš vplivsamoínterkalâcíímídínatermoelektričnívlastivostílegovanihkristalívbi2te3ltcupídčasíhzberíganâ AT kahramanovaš vplivsamoínterkalâcíímídínatermoelektričnívlastivostílegovanihkristalívbi2te3ltcupídčasíhzberíganâ AT alievaap influenceofcopperintercalationonthermoelectricpropertieschangeinbi2te3ltcudopedcrystalsduringstorage AT kahramanovsš influenceofcopperintercalationonthermoelectricpropertieschangeinbi2te3ltcudopedcrystalsduringstorage AT kahramanovaš influenceofcopperintercalationonthermoelectricpropertieschangeinbi2te3ltcudopedcrystalsduringstorage |