Ohmic contacts to InN-based materials
The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115688 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ohmic contacts to InN-based materials / P.O. Sai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 3-14. — Бібліогр.: 52 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862544629285519360 |
|---|---|
| author | Sai, P.O. |
| author_facet | Sai, P.O. |
| citation_txt | Ohmic contacts to InN-based materials / P.O. Sai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 3-14. — Бібліогр.: 52 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different types of metallization are considered, the advantages and disadvantages of each are determined, including the basic requirements that such contact must meet. There is emphasis on the using multilayer metallization with the barrier layers. In the case of the InAlN/GaN systems, the general approaches of forming ohmic contacts were considered.
Рассмотрены ключевые моменты в формировании омических контактов к нитрид индиевых пленок, фокусируясь на n-InN и InAlN/GaN гетероструктурах. Детальный анализ исследований, проведенных за последние три десятилетия, позволяет определить основные принципы формирования подобных контактов. Приведены параметры контактов и оптимальные условия их достижения, рассмотрены различные типы металлизации и определены преимущества и недостатки каждого из них, учитывая основные требования, которым подобные контакты должны отвечать. Сделан акцент на перспективах использования многослойной металлизации с диффузионными барьерами. Рассмотрены общие подходы к формированию омических контактов к InAlN/GaN-гетероструктур.
В даній роботі розглянуто ключові моменти в формуванні омічних контактів до нітрид-індієвих плівок, фокусуючись на гетероструктурах n-InN і InAlN/GaN. Детальний аналіз досліджень, проведених за останні три десятиліття, дозволив визначити основні принципи формування подібних контактів. Наведено параметри контактів та оптимальні умови їх досягнення, розглянуто різні типи металізації і визначено переваги та недоліки кожного з них, враховуючи основні вимоги, яким подібні контакти мають відповідати. Наголошено на перспективах використання багатошарової металізації з дифузійними бар’єрами. Розглянуто загальні підходи формування омічних контактів до InAlN/GaN-гетероструктур.
|
| first_indexed | 2025-11-25T01:18:06Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115688 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-25T01:18:06Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Sai, P.O. 2017-04-09T17:30:39Z 2017-04-09T17:30:39Z 2016 Ohmic contacts to InN-based materials / P.O. Sai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 3-14. — Бібліогр.: 52 назв. — англ. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2016.4-5.03 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115688 538.91 The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different types of metallization are considered, the advantages and disadvantages of each are determined, including the basic requirements that such contact must meet. There is emphasis on the using multilayer metallization with the barrier layers. In the case of the InAlN/GaN systems, the general approaches of forming ohmic contacts were considered. Рассмотрены ключевые моменты в формировании омических контактов к нитрид индиевых пленок, фокусируясь на n-InN и InAlN/GaN гетероструктурах. Детальный анализ исследований, проведенных за последние три десятилетия, позволяет определить основные принципы формирования подобных контактов. Приведены параметры контактов и оптимальные условия их достижения, рассмотрены различные типы металлизации и определены преимущества и недостатки каждого из них, учитывая основные требования, которым подобные контакты должны отвечать. Сделан акцент на перспективах использования многослойной металлизации с диффузионными барьерами. Рассмотрены общие подходы к формированию омических контактов к InAlN/GaN-гетероструктур. В даній роботі розглянуто ключові моменти в формуванні омічних контактів до нітрид-індієвих плівок, фокусуючись на гетероструктурах n-InN і InAlN/GaN. Детальний аналіз досліджень, проведених за останні три десятиліття, дозволив визначити основні принципи формування подібних контактів. Наведено параметри контактів та оптимальні умови їх досягнення, розглянуто різні типи металізації і визначено переваги та недоліки кожного з них, враховуючи основні вимоги, яким подібні контакти мають відповідати. Наголошено на перспективах використання багатошарової металізації з дифузійними бар’єрами. Розглянуто загальні підходи формування омічних контактів до InAlN/GaN-гетероструктур. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новые компоненты для электронной аппаратуры Ohmic contacts to InN-based materials Омические контакты к материалам на основе нитрида индия Омічні контакти до матеріалів на основі нітриду індію Article published earlier |
| spellingShingle | Ohmic contacts to InN-based materials Sai, P.O. Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| title | Ohmic contacts to InN-based materials |
| title_alt | Омические контакты к материалам на основе нитрида индия Омічні контакти до матеріалів на основі нітриду індію |
| title_full | Ohmic contacts to InN-based materials |
| title_fullStr | Ohmic contacts to InN-based materials |
| title_full_unstemmed | Ohmic contacts to InN-based materials |
| title_short | Ohmic contacts to InN-based materials |
| title_sort | ohmic contacts to inn-based materials |
| topic | Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet | Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115688 |
| work_keys_str_mv | AT saipo ohmiccontactstoinnbasedmaterials AT saipo omičeskiekontaktykmaterialamnaosnovenitridaindiâ AT saipo omíčníkontaktidomateríalívnaosnovínítriduíndíû |