Ohmic contacts to InN-based materials
The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автор: | Sai, P.O. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115688 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ohmic contacts to InN-based materials / P.O. Sai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 3-14. — Бібліогр.: 52 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
за авторством: Головяшкин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Головяшкин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2001)
Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999)
Electrical connectors for surface solderless mounting
за авторством: Yefimenko, A.A.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yefimenko, A.A.
Опубліковано: (2012)
Моделирование электротоковых микрореле
за авторством: Мухуров, Н.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Мухуров, Н.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
за авторством: Горох, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Горох, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2015)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
за авторством: Семёнов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Семёнов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Малогабаритные высокоинформативные холестерические дисплеи с памятью
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Афанасьев, М.С., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Афанасьев, М.С., та інші
Опубліковано: (2010)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2010)
Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
за авторством: Шевчик-Шекера, А.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Шевчик-Шекера, А.В.
Опубліковано: (2012)
Первичные источники тока Li/Cu₄Bi₅S₁₀
за авторством: Дудяк, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дудяк, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Органические светоизлучающие структуры — технологии XXI века
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
за авторством: Викулина, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Викулина, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
Газочувствительные и светочувствительные варикапы для датчиков
за авторством: Негоденко, О.Н., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Негоденко, О.Н., та інші
Опубліковано: (2000)
Магниточувствительные транзисторы
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1998)
Метод "прозрачной стенки'' для контроля лучистых потоков различной мощности
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999)
Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
за авторством: Завьялов, С.В.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Завьялов, С.В.
Опубліковано: (2000)
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2000)
Схемное решение термостабилизации выходного сигнала полупроводниковых датчиков
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1998)
Миниатюрные полупроводниковые преобразователи для измерения импульсных давлений
за авторством: Байцар, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Байцар, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
Функционально интегрированный магнитометрический преобразователь
за авторством: Большакова, И.А., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Большакова, И.А., та інші
Опубліковано: (2000)
Координатно-чувствительный анизотропный датчик лазерного излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1998)
Классификационный анализ акустооптических устройств управления лазерным пучком
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (2000)
Влияние радиационного облучения на характеристики солнечных элементов из поликристаллического кремния
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Полупроводниковые матричные оптические модуляторы
за авторством: Курмашов, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Курмашов, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (1999)
Магнитоуправляемый переключатель
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1999)
Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (1999)
Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)
Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)
Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)
Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018) -
Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
за авторством: Головяшкин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2001) -
Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019) -
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2001) -
Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999)