Ohmic contacts to InN-based materials
The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| 1. Verfasser: | Sai, P.O. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115688 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Ohmic contacts to InN-based materials / P.O. Sai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 3-14. — Бібліогр.: 52 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
von: Druzhinin, A.O., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
von: Головяшкин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)