Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольт-амперные характеристики. Установлено, что основными механизмами токопереноса п...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115691 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe / Г.П. Пархоменко, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 29-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115691 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Пархоменко, Г.П. Марьянчук, П.Д. 2017-04-09T17:41:43Z 2017-04-09T17:41:43Z 2016 Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe / Г.П. Пархоменко, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 29-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2016.4-5.29 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115691 621.315.592 Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольт-амперные характеристики. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является генерационно-рекомбинационный и туннелирование, при обратных смещениях — туннелирование. Методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок NiO на підкладки з кристалів CdTe p- та n-типу провідності виготовлено гетероструктури NiO/n-CdTe та NiO/p-CdTe. Досліджено їх темнову і світлову вольт-амперні характеристики. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є генераційно-рекомбінаційний і тунелювання, при зворотньому — тунелювання. In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases is tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 μA/cm² under illumination 80 mW/cm⁻². The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/ n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe Електричні і фотоелектричні властивості гетероструктур NiO/p-CdTe та NiO/n-CdTe Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| spellingShingle |
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe Пархоменко, Г.П. Марьянчук, П.Д. Электронные средства: исследования, разработки |
| title_short |
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title_full |
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title_fullStr |
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title_full_unstemmed |
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title_sort |
электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур nio/p-cdte и nio/n-cdte |
| author |
Пархоменко, Г.П. Марьянчук, П.Д. |
| author_facet |
Пархоменко, Г.П. Марьянчук, П.Д. |
| topic |
Электронные средства: исследования, разработки |
| topic_facet |
Электронные средства: исследования, разработки |
| publishDate |
2016 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Електричні і фотоелектричні властивості гетероструктур NiO/p-CdTe та NiO/n-CdTe Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe |
| description |
Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольт-амперные характеристики. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является генерационно-рекомбинационный и туннелирование, при обратных смещениях — туннелирование.
Методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок NiO на підкладки з кристалів CdTe p- та n-типу провідності виготовлено гетероструктури NiO/n-CdTe та NiO/p-CdTe. Досліджено їх темнову і світлову вольт-амперні характеристики. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є генераційно-рекомбінаційний і тунелювання, при зворотньому — тунелювання.
In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases is tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 μA/cm² under illumination 80 mW/cm⁻². The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/ n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115691 |
| citation_txt |
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe / Г.П. Пархоменко, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 29-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT parhomenkogp élektričeskieifotoélektričeskiesvoistvageterostrukturniopcdteinioncdte AT marʹânčukpd élektričeskieifotoélektričeskiesvoistvageterostrukturniopcdteinioncdte AT parhomenkogp električníífotoelektričnívlastivostígeterostrukturniopcdtetanioncdte AT marʹânčukpd električníífotoelektričnívlastivostígeterostrukturniopcdtetanioncdte AT parhomenkogp electricalandphotoelectricpropertiesofheterostructuresniopcdteandnioncdte AT marʹânčukpd electricalandphotoelectricpropertiesofheterostructuresniopcdteandnioncdte |
| first_indexed |
2025-12-07T20:50:58Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:50:58Z |
| _version_ |
1850884131145121792 |