Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe

• Опубліковано в: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2016
• ISSN: 2225-5818
• Автори: Пархоменко, Г.П., Марьянчук, П.Д.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Теми: Электронные средства: исследования, разработки
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115691
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe / Г.П. Пархоменко, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 29-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольт-амперные характеристики. Установлено, что основными механизмами токопереноса п...