Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p—i—n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в закрытом состоянии (потерь запирания) около 40 дБ в устройствах применено каскадное...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| ISSN: | 2225-5818 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115692 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн / Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.В. Ореховский, А.А. Тухаринов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 34-41. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862746797955350528 |
|---|---|
| author | Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.В. Тухаринов, А.А. |
| author_facet | Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.В. Тухаринов, А.А. |
| citation_txt | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн / Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.В. Ореховский, А.А. Тухаринов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 34-41. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p—i—n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в закрытом состоянии (потерь запирания) около 40 дБ в устройствах применено каскадное включение диодов в волноводную и микрополосковую линии передачи на электрической длине θ = π/2. Представлены результаты исследований по созданию коммутационных устройств коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн (f = 300 ГГц) с использованием продольно- и поперечно-распределенных p—i—n-структур.
Представлено результати досліджень і розробки вимикачів і перемикачів з використанням p—i—n-діодів скупченого типу, що забезпечують час перемикання на рівні одиниць наносекунд. З метою збільшення втрат запирання (приблизно 40 дБ) в пристроях застосовано каскадне включення діодів в хвилеводну і мікросмугову лінії передачі на електричній довжині θ = π/2. У короткохвильовій частині міліметрового діапазону довжин хвиль (f = 300 ГГц) представлено результати досліджень по створенню комутаційних пристроїв з використанням подовжно- і поперечно-розподілених p—i—n-структур.
The paper presents the results of research and development of concentrated type p—i—n-diodes switches providing the switching time units of nanoseconds. To increase lock losses of (~40 dB) the authors use a cascade connection of diodes into waveguide and microstrip transmission line of θ = π/2 electric length. Investigation results of creation of switching devices using longitudinally and transversely-distributed p—i—n-structures in the shortwave part of the millimeter wavelength range (f = 300 GHz) are presented.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:47:26Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115692 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:47:26Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.В. Тухаринов, А.А. 2017-04-09T17:44:35Z 2017-04-09T17:44:35Z 2016 Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн / Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.В. Ореховский, А.А. Тухаринов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 34-41. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2016.4-5.34 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115692 621.382.062.8 Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p—i—n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в закрытом состоянии (потерь запирания) около 40 дБ в устройствах применено каскадное включение диодов в волноводную и микрополосковую линии передачи на электрической длине θ = π/2. Представлены результаты исследований по созданию коммутационных устройств коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн (f = 300 ГГц) с использованием продольно- и поперечно-распределенных p—i—n-структур. Представлено результати досліджень і розробки вимикачів і перемикачів з використанням p—i—n-діодів скупченого типу, що забезпечують час перемикання на рівні одиниць наносекунд. З метою збільшення втрат запирання (приблизно 40 дБ) в пристроях застосовано каскадне включення діодів в хвилеводну і мікросмугову лінії передачі на електричній довжині θ = π/2. У короткохвильовій частині міліметрового діапазону довжин хвиль (f = 300 ГГц) представлено результати досліджень по створенню комутаційних пристроїв з використанням подовжно- і поперечно-розподілених p—i—n-структур. The paper presents the results of research and development of concentrated type p—i—n-diodes switches providing the switching time units of nanoseconds. To increase lock losses of (~40 dB) the authors use a cascade connection of diodes into waveguide and microstrip transmission line of θ = π/2 electric length. Investigation results of creation of switching devices using longitudinally and transversely-distributed p—i—n-structures in the shortwave part of the millimeter wavelength range (f = 300 GHz) are presented. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре СВЧ-техника Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн Комутаційні керовані пристрої на p—i—n-діодах міліметрового діапазону довжин хвиль Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices Article published earlier |
| spellingShingle | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.В. Тухаринов, А.А. СВЧ-техника |
| title | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн |
| title_alt | Комутаційні керовані пристрої на p—i—n-діодах міліметрового діапазону довжин хвиль Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices |
| title_full | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн |
| title_fullStr | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн |
| title_full_unstemmed | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн |
| title_short | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн |
| title_sort | коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн |
| topic | СВЧ-техника |
| topic_facet | СВЧ-техника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115692 |
| work_keys_str_mv | AT karuškinnf kommutacionnyeupravlâemyeustroistvanapindiodahmillimetrovogodiapazonadlinvoln AT malyškovv kommutacionnyeupravlâemyeustroistvanapindiodahmillimetrovogodiapazonadlinvoln AT orehovskiivv kommutacionnyeupravlâemyeustroistvanapindiodahmillimetrovogodiapazonadlinvoln AT tuharinovaa kommutacionnyeupravlâemyeustroistvanapindiodahmillimetrovogodiapazonadlinvoln AT karuškinnf komutacíiníkerovanípristroínapindíodahmílímetrovogodíapazonudovžinhvilʹ AT malyškovv komutacíiníkerovanípristroínapindíodahmílímetrovogodíapazonudovžinhvilʹ AT orehovskiivv komutacíiníkerovanípristroínapindíodahmílímetrovogodíapazonudovžinhvilʹ AT tuharinovaa komutacíiníkerovanípristroínapindíodahmílímetrovogodíapazonudovžinhvilʹ AT karuškinnf millimeterwavepindiodeswitchingcontrolleddevices AT malyškovv millimeterwavepindiodeswitchingcontrolleddevices AT orehovskiivv millimeterwavepindiodeswitchingcontrolleddevices AT tuharinovaa millimeterwavepindiodeswitchingcontrolleddevices |