Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Корецкий, Р.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115694
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 47-52. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Исследована частотная зависимость активного сопротивления нитевидных кристаллов кремния, легированных бором в разной концентрации, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл — диэлектрик», в температурном интервале 4,2—100 К. На основе анализа полученных характеристик установлены и изу...