Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре
В тонкопленочной электролюминесцентной волноводной ZnS:Crструктуре обнаружена лазерная генерация в излучении ионов Cr²⁺ , возбуждаемых ударно горячими электронами. Она возникает при поле в пленке ZnS:Cr свыше 2 МВ·см⁻¹ и подтверждается очень существенным увеличением (примерно в 100 раз) интенсивност...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116693 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре / Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.А. Мухльо, П.М. Литвин, Л.И. Велигура, З.Л. Денисова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 28-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116693 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Власенко, Н.А. Олексенко, П.Ф. Мухльо, М.А. Литвин, П.М. Велигура, Л.И. Денисова, З.Л. 2017-05-13T20:39:57Z 2017-05-13T20:39:57Z 2011 Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре / Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.А. Мухльо, П.М. Литвин, Л.И. Велигура, З.Л. Денисова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 28-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116693 535.374, 535.376, 539.234, 621.315.59 В тонкопленочной электролюминесцентной волноводной ZnS:Crструктуре обнаружена лазерная генерация в излучении ионов Cr²⁺ , возбуждаемых ударно горячими электронами. Она возникает при поле в пленке ZnS:Cr свыше 2 МВ·см⁻¹ и подтверждается очень существенным увеличением (примерно в 100 раз) интенсивности и эффективности излучения, регистрируемого во времени при фиксированном приложенном напряжении из торца структуры. Однако генерация нестабильна и довольно быстро исчезает, причем после этого излучение из торца становится очень слабым, тогда как излучение через прозрачный In₂O₃:Sn-электрод остается интенсивным. Установлено, что причина такой нестабильности – появление в структуре сильного светорассеивания, следовательно, повышение оптических потерь в результате увеличения размеров неоднородностей (вероятнее всего кристаллитов пленки ZnS:Cr) под действием лазерного излучения. Приведены рекомендации для повышения стабильности лазерной генерации в волноводной ZnS:Cr-структуре. Laser oscillation of the Cr²⁺ ion emission excited by hot electron impact was discovered in a ZnS:Cr waveguide thin-film electroluminescent structure. Lasing originates at the field in the ZnS:Cr film above 2 MV·cm⁻¹. This is corroborated by a very high increase (about one hundred times) of the intensity and efficiency of the emission recorded from the structure edge in time at a fixed applied voltage. However, the laser oscillation is unstable and disappears quickly after the origination and besides the emission from the edge becomes very week whereas the intensive emission is observed from the structure face through the transparent electrode. It is established that the origin of the above instability is the appearance of light scattering in the structure, and consequently optical losses increase, which is a result of size increase of some inhomogeneities (most likely of crystallites in the ZnS:Cr film) under the action of intensive laser emission. Recommendations for raising the lasing stability in the ZnS:Cr waveguide structure are given. Авторы выражают благодарность доктору физико-математических наук Н.Р. Кулишу за участие в обсуждении приведенных данных. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре Cause of instability of laser oscillation detected in ZnS:Cr waveguide thin-film electroluminescent structure Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре |
| spellingShingle |
Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре Власенко, Н.А. Олексенко, П.Ф. Мухльо, М.А. Литвин, П.М. Велигура, Л.И. Денисова, З.Л. |
| title_short |
Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре |
| title_full |
Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре |
| title_fullStr |
Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре |
| title_full_unstemmed |
Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре |
| title_sort |
причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной zns:cr-структуре |
| author |
Власенко, Н.А. Олексенко, П.Ф. Мухльо, М.А. Литвин, П.М. Велигура, Л.И. Денисова, З.Л. |
| author_facet |
Власенко, Н.А. Олексенко, П.Ф. Мухльо, М.А. Литвин, П.М. Велигура, Л.И. Денисова, З.Л. |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Cause of instability of laser oscillation detected in ZnS:Cr waveguide thin-film electroluminescent structure |
| description |
В тонкопленочной электролюминесцентной волноводной ZnS:Crструктуре обнаружена лазерная генерация в излучении ионов Cr²⁺ , возбуждаемых ударно горячими электронами. Она возникает при поле в пленке ZnS:Cr свыше 2 МВ·см⁻¹ и подтверждается очень существенным увеличением (примерно в 100 раз) интенсивности и эффективности излучения, регистрируемого во времени при фиксированном приложенном напряжении из торца структуры. Однако генерация нестабильна и довольно быстро исчезает, причем после этого излучение из торца становится очень слабым, тогда как излучение через прозрачный In₂O₃:Sn-электрод остается интенсивным. Установлено, что причина такой нестабильности – появление в структуре сильного светорассеивания, следовательно, повышение оптических потерь в результате увеличения размеров неоднородностей (вероятнее всего кристаллитов пленки ZnS:Cr) под действием лазерного излучения. Приведены рекомендации для повышения стабильности лазерной генерации в волноводной ZnS:Cr-структуре.
Laser oscillation of the Cr²⁺ ion emission excited by hot electron impact was discovered in a ZnS:Cr waveguide thin-film electroluminescent structure. Lasing originates at the field in the ZnS:Cr film above 2 MV·cm⁻¹. This is corroborated by a very high increase (about one hundred times) of the intensity and efficiency of the emission recorded from the structure edge in time at a fixed applied voltage. However, the laser oscillation is unstable and disappears quickly after the origination and besides the emission from the edge becomes very week whereas the intensive emission is observed from the structure face through the transparent electrode. It is established that the origin of the above instability is the appearance of light scattering in the structure, and consequently optical losses increase, which is a result of size increase of some inhomogeneities (most likely of crystallites in the ZnS:Cr film) under the action of intensive laser emission. Recommendations for raising the lasing stability in the ZnS:Cr waveguide structure are given.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116693 |
| citation_txt |
Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре / Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.А. Мухльо, П.М. Литвин, Л.И. Велигура, З.Л. Денисова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 28-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vlasenkona pričinanestabilʹnostilazernoigeneraciiobnaružennoivvolnovodnoiélektrolûminescentnoitonkoplenočnoiznscrstrukture AT oleksenkopf pričinanestabilʹnostilazernoigeneraciiobnaružennoivvolnovodnoiélektrolûminescentnoitonkoplenočnoiznscrstrukture AT muhlʹoma pričinanestabilʹnostilazernoigeneraciiobnaružennoivvolnovodnoiélektrolûminescentnoitonkoplenočnoiznscrstrukture AT litvinpm pričinanestabilʹnostilazernoigeneraciiobnaružennoivvolnovodnoiélektrolûminescentnoitonkoplenočnoiznscrstrukture AT veligurali pričinanestabilʹnostilazernoigeneraciiobnaružennoivvolnovodnoiélektrolûminescentnoitonkoplenočnoiznscrstrukture AT denisovazl pričinanestabilʹnostilazernoigeneraciiobnaružennoivvolnovodnoiélektrolûminescentnoitonkoplenočnoiznscrstrukture AT vlasenkona causeofinstabilityoflaseroscillationdetectedinznscrwaveguidethinfilmelectroluminescentstructure AT oleksenkopf causeofinstabilityoflaseroscillationdetectedinznscrwaveguidethinfilmelectroluminescentstructure AT muhlʹoma causeofinstabilityoflaseroscillationdetectedinznscrwaveguidethinfilmelectroluminescentstructure AT litvinpm causeofinstabilityoflaseroscillationdetectedinznscrwaveguidethinfilmelectroluminescentstructure AT veligurali causeofinstabilityoflaseroscillationdetectedinznscrwaveguidethinfilmelectroluminescentstructure AT denisovazl causeofinstabilityoflaseroscillationdetectedinznscrwaveguidethinfilmelectroluminescentstructure |
| first_indexed |
2025-12-07T16:10:31Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:10:31Z |
| _version_ |
1850866487262183424 |