Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2011
• Автори: Власенко, Н.А., Олексенко, П.Ф., Мухльо, М.А., Литвин, П.М., Велигура, Л.И., Денисова, З.Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116693
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре / Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.А. Мухльо, П.М. Литвин, Л.И. Велигура, З.Л. Денисова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 28-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

В тонкопленочной электролюминесцентной волноводной ZnS:Crструктуре обнаружена лазерная генерация в излучении ионов Cr²⁺ , возбуждаемых ударно горячими электронами. Она возникает при поле в пленке ZnS:Cr свыше 2 МВ·см⁻¹ и подтверждается очень существенным увеличением (примерно в 100 раз) интенсивност...