Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Венгер, Е.Ф., Матвеева, Л.А., Нелюба, П.Л.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116695
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 43-48. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Исследованы радиационно-стимулированные процессы в гетероструктурах С₆₀/Si, GeOx/C₆₀/Si и С₆₀/сплав ВТ6, которые происходят под влиянием -облучения ⁶⁰Со. Пленки толщиной 0,1–2 мкм осаждались на неподогретые подложки из порошка С₆₀ вакуумной сублимацией. Выявлены радиационно-стимулированные изменения...