Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом

• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Індутний, І.З., Минько, В.І., Шепелявий, П.Є., Сопінський, М.В., Ткач, В.М., Данько, В.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schriftenreihe: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116696
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський, В.М. Ткач, В.А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 49-56. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Досліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів та селективного рідинного травлення. Для вирощування матриці SiOx-колон субмікронних розмірів на виступах мікропрофільованої підкладки використовувалось термічне осадження монооксиду кремнію у вакуумі під ковзним кутом. Геометричн і параметри отриманих структур вивчено за допомогою високороздільного електронного та атомно-силового мікроскопів. Для характеризації отриманих структур проведено дослідження їх дифракційних та поляризаційних характеристик. Отримані кутові залежності дифракційної ефективності та ефективності конверсії поляризації демонструють анізотропні оптичні властивості двовимірних матриць SiOx-колон, що свідчить про можливість застосування таких структур як тонкоплівкових оптичних елементів.