Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом
Досліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фот...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116696 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський, В.М. Ткач, В.А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 49-56. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116696 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Сопінський, М.В. Ткач, В.М. Данько, В.А. 2017-05-13T20:40:20Z 2017-05-13T20:40:20Z 2011 Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський, В.М. Ткач, В.А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 49-56. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116696 535.421; 546.28; 621.793 Досліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів та селективного рідинного травлення. Для вирощування матриці SiOx-колон субмікронних розмірів на виступах мікропрофільованої підкладки використовувалось термічне осадження монооксиду кремнію у вакуумі під ковзним кутом. Геометричн і параметри отриманих структур вивчено за допомогою високороздільного електронного та атомно-силового мікроскопів. Для характеризації отриманих структур проведено дослідження їх дифракційних та поляризаційних характеристик. Отримані кутові залежності дифракційної ефективності та ефективності конверсії поляризації демонструють анізотропні оптичні властивості двовимірних матриць SiOx-колон, що свідчить про можливість застосування таких структур як тонкоплівкових оптичних елементів. Growth of photonic structures on the micropatterned silicon substrates has been studied. The interference lithography with vacuum chalcogenide photoresists and selective wet etching were used for formation of relief structure on the silicon wafer as the matrix of submicrometer hillocks. The two-dimensional photonic arrays of submicrometer SiOx columns were produced by thermal evaporation of silicon monoxide in vacuum and oblique deposition onto patterned Si surface. The geometrical parameters of the obtained structures were examined with high-resolution electron microscope and scanning probe microscope in the AFM tapping mode. Diffraction properties of the obtained photonic arrays and their polarization characteristics were also studied. The obtained angular dependences of diffraction efficiency and efficiency of polarization conversion demonstrate anisotropic optical properties of two-dimensional photonic SiOx arrays, and such structures have potential application as thin-film optical elements. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом Growth of the photonic nanostructures using interference lithography and oblique deposition in vacuum Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом |
| spellingShingle |
Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Сопінський, М.В. Ткач, В.М. Данько, В.А. |
| title_short |
Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом |
| title_full |
Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом |
| title_fullStr |
Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом |
| title_full_unstemmed |
Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом |
| title_sort |
формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом |
| author |
Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Сопінський, М.В. Ткач, В.М. Данько, В.А. |
| author_facet |
Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Сопінський, М.В. Ткач, В.М. Данько, В.А. |
| publishDate |
2011 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Growth of the photonic nanostructures using interference lithography and oblique deposition in vacuum |
| description |
Досліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів та селективного рідинного травлення. Для вирощування матриці SiOx-колон субмікронних розмірів на виступах мікропрофільованої підкладки використовувалось термічне осадження монооксиду кремнію у вакуумі під ковзним кутом. Геометричн і параметри отриманих структур вивчено за допомогою високороздільного електронного та атомно-силового мікроскопів. Для характеризації отриманих структур проведено дослідження їх дифракційних та поляризаційних характеристик. Отримані кутові залежності дифракційної ефективності та ефективності конверсії поляризації демонструють анізотропні оптичні властивості двовимірних матриць SiOx-колон, що свідчить про можливість застосування таких структур як тонкоплівкових оптичних елементів.
Growth of photonic structures on the micropatterned silicon substrates has been studied. The interference lithography with vacuum chalcogenide photoresists and selective wet etching were used for formation of relief structure on the silicon wafer as the matrix of submicrometer hillocks. The two-dimensional photonic arrays of submicrometer SiOx columns were produced by thermal evaporation of silicon monoxide in vacuum and oblique deposition onto patterned Si surface. The geometrical parameters of the obtained structures were examined with high-resolution electron microscope and scanning probe microscope in the AFM tapping mode. Diffraction properties of the obtained photonic arrays and their polarization characteristics were also studied. The obtained angular dependences of diffraction efficiency and efficiency of polarization conversion demonstrate anisotropic optical properties of two-dimensional photonic SiOx arrays, and such structures have potential application as thin-film optical elements.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116696 |
| citation_txt |
Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський, В.М. Ткач, В.А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 49-56. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT índutniiíz formuvannâfotonnihnanostrukturzadopomogoûínterferencíinoílítografíítaosadžennâuvakuumípídkovznimkutom AT minʹkoví formuvannâfotonnihnanostrukturzadopomogoûínterferencíinoílítografíítaosadžennâuvakuumípídkovznimkutom AT šepelâviipê formuvannâfotonnihnanostrukturzadopomogoûínterferencíinoílítografíítaosadžennâuvakuumípídkovznimkutom AT sopínsʹkiimv formuvannâfotonnihnanostrukturzadopomogoûínterferencíinoílítografíítaosadžennâuvakuumípídkovznimkutom AT tkačvm formuvannâfotonnihnanostrukturzadopomogoûínterferencíinoílítografíítaosadžennâuvakuumípídkovznimkutom AT danʹkova formuvannâfotonnihnanostrukturzadopomogoûínterferencíinoílítografíítaosadžennâuvakuumípídkovznimkutom AT índutniiíz growthofthephotonicnanostructuresusinginterferencelithographyandobliquedepositioninvacuum AT minʹkoví growthofthephotonicnanostructuresusinginterferencelithographyandobliquedepositioninvacuum AT šepelâviipê growthofthephotonicnanostructuresusinginterferencelithographyandobliquedepositioninvacuum AT sopínsʹkiimv growthofthephotonicnanostructuresusinginterferencelithographyandobliquedepositioninvacuum AT tkačvm growthofthephotonicnanostructuresusinginterferencelithographyandobliquedepositioninvacuum AT danʹkova growthofthephotonicnanostructuresusinginterferencelithographyandobliquedepositioninvacuum |
| first_indexed |
2025-12-01T20:33:38Z |
| last_indexed |
2025-12-01T20:33:38Z |
| _version_ |
1850860959977963520 |