Асніс, Ю., Баранський, П., Бабич, В., Піскун, Н., & Статкевич, І. (2011). Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
Chicago Style (17th ed.) CitationАсніс, Ю.А, П.І Баранський, В.М Бабич, Н.В Піскун, and І.І Статкевич. "Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 2011.
MLA (8th ed.) CitationАсніс, Ю.А, et al. "Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.