Асніс, Ю., Баранський, П., Бабич, В., Піскун, Н., & Статкевич, І. (2011). Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Асніс, Ю.А, П.І Баранський, В.М Бабич, Н.В Піскун, та І.І Статкевич. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Асніс, Ю.А, et al. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.