Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content o...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116697 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862569396064485376 |
|---|---|
| author | Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. |
| author_facet | Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. |
| citation_txt | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки.
The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content of the alloying (P) and background (O) impurites in single crystals of Si, obtained by crucibleless electron-beam zone melting.
|
| first_indexed | 2025-11-26T01:42:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116697 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-26T01:42:44Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. 2017-05-13T20:40:27Z 2017-05-13T20:40:27Z 2011 Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116697 621.315,592 Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content of the alloying (P) and background (O) impurites in single crystals of Si, obtained by crucibleless electron-beam zone melting. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting Article published earlier |
| spellingShingle | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. |
| title | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_alt | Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting |
| title_full | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_fullStr | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_full_unstemmed | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_short | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_sort | вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116697 |
| work_keys_str_mv | AT asnísûa vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT baransʹkiipí vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT babičvm vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT pískunnv vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT statkevičíí vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT asnísûa contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting AT baransʹkiipí contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting AT babičvm contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting AT pískunnv contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting AT statkevičíí contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting |