Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2011
Hauptverfasser: Асніс, Ю.А., Баранський, П.І., Бабич, В.М., Піскун, Н.В., Статкевич, І.І.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Schriftenreihe:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116697
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116697
record_format dspace
fulltext
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1166972025-02-09T13:10:45Z Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content of the alloying (P) and background (O) impurites in single crystals of Si, obtained by crucibleless electron-beam zone melting. 2011 Article Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116697 621.315,592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки.
format Article
author Асніс, Ю.А.
Баранський, П.І.
Бабич, В.М.
Піскун, Н.В.
Статкевич, І.І.
spellingShingle Асніс, Ю.А.
Баранський, П.І.
Бабич, В.М.
Піскун, Н.В.
Статкевич, І.І.
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Асніс, Ю.А.
Баранський, П.І.
Бабич, В.М.
Піскун, Н.В.
Статкевич, І.І.
author_sort Асніс, Ю.А.
title Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_short Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_full Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_fullStr Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_full_unstemmed Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_sort вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2011
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116697
citation_txt Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT asnísûa vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki
AT baransʹkijpí vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki
AT babičvm vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki
AT pískunnv vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki
AT statkevičíí vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki
AT asnísûa contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting
AT baransʹkijpí contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting
AT babičvm contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting
AT pískunnv contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting
AT statkevičíí contentsofdopingandbackgroundimpuritiesinsisinglecrystalsobtainedbyczuciblelesselectronbeamzonemelting
first_indexed 2025-11-26T01:42:44Z
last_indexed 2025-11-26T01:42:44Z
_version_ 1849815324110618624

Ähnliche Einträge