Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Асніс, Ю.А., Баранський, П.І., Бабич, В.М., Піскун, Н.В., Статкевич, І.І.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116697
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content o...