Cover Image

Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content o...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Date:2011
Main Authors: Асніс, Ю.А., Баранський, П.І., Бабич, В.М., Піскун, Н.В., Статкевич, І.І.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116697
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items