Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями

Исследован процесс химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых кристаллов Ві₂Te₃ и твердых растворов n-(Bi₂Te₃)₀,₉ (Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ и p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ бромвыделяющими травителями. Изучены зависимости скоростей ХМП от разбавления базового полирую...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Дата:2011
Автори: Павлович, И.И., Томашик, В.Н., Томашик, З.Ф., Стратийчук, И.Б., Копыл, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116699
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями / И.И. Павлович, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, А.И. Копыл // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 68-73. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116699
record_format dspace
spelling Павлович, И.И.
Томашик, В.Н.
Томашик, З.Ф.
Стратийчук, И.Б.
Копыл, А.И.
2017-05-13T20:40:38Z
2017-05-13T20:40:38Z
2011
Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями / И.И. Павлович, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, А.И. Копыл // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 68-73. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
0233-7577
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116699
621.794.4 : 546.87'24
Исследован процесс химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых кристаллов Ві₂Te₃ и твердых растворов n-(Bi₂Te₃)₀,₉ (Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ и p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ бромвыделяющими травителями. Изучены зависимости скоростей ХМП от разбавления базового полирующего травителя органическими компонентами, а также состояние поверхности после полирования. Оптимизированы составы полирующих смесей и режимы проведения операций для формирования высококачественной полированной поверхности.
The process of chemical-mechanical polishing (CMP) of the surface of semiconductor crystals of Bi₂Te₃, n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ and p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂ (Sb₂Se₃)₀,₀₃ by etchants, which release bromine, was investigated. The dependence of CMP rate on dissolution of basic polishing etchant by organic compounds and the state of the surface after polishing was studied. The compositions of polishing compounds and modes of operation for the formation of high-quality polished surface were optimized.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями
Chemical-mechanical polishing of solid solutions crystals based on bismuth and antimony tellurides by compositions, which release bromine
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями
spellingShingle Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями
Павлович, И.И.
Томашик, В.Н.
Томашик, З.Ф.
Стратийчук, И.Б.
Копыл, А.И.
title_short Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями
title_full Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями
title_fullStr Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями
title_full_unstemmed Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями
title_sort химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями
author Павлович, И.И.
Томашик, В.Н.
Томашик, З.Ф.
Стратийчук, И.Б.
Копыл, А.И.
author_facet Павлович, И.И.
Томашик, В.Н.
Томашик, З.Ф.
Стратийчук, И.Б.
Копыл, А.И.
publishDate 2011
language Russian
container_title Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Chemical-mechanical polishing of solid solutions crystals based on bismuth and antimony tellurides by compositions, which release bromine
description Исследован процесс химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых кристаллов Ві₂Te₃ и твердых растворов n-(Bi₂Te₃)₀,₉ (Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ и p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ бромвыделяющими травителями. Изучены зависимости скоростей ХМП от разбавления базового полирующего травителя органическими компонентами, а также состояние поверхности после полирования. Оптимизированы составы полирующих смесей и режимы проведения операций для формирования высококачественной полированной поверхности. The process of chemical-mechanical polishing (CMP) of the surface of semiconductor crystals of Bi₂Te₃, n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ and p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂ (Sb₂Se₃)₀,₀₃ by etchants, which release bromine, was investigated. The dependence of CMP rate on dissolution of basic polishing etchant by organic compounds and the state of the surface after polishing was studied. The compositions of polishing compounds and modes of operation for the formation of high-quality polished surface were optimized.
issn 0233-7577
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116699
citation_txt Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями / И.И. Павлович, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, А.И. Копыл // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 68-73. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT pavlovičii himikomehaničeskoepolirovaniekristallovtverdyhrastvorovnaosnovetelluridovvismutaisurʹmybromvydelâûŝimikompoziciâmi
AT tomašikvn himikomehaničeskoepolirovaniekristallovtverdyhrastvorovnaosnovetelluridovvismutaisurʹmybromvydelâûŝimikompoziciâmi
AT tomašikzf himikomehaničeskoepolirovaniekristallovtverdyhrastvorovnaosnovetelluridovvismutaisurʹmybromvydelâûŝimikompoziciâmi
AT stratiičukib himikomehaničeskoepolirovaniekristallovtverdyhrastvorovnaosnovetelluridovvismutaisurʹmybromvydelâûŝimikompoziciâmi
AT kopylai himikomehaničeskoepolirovaniekristallovtverdyhrastvorovnaosnovetelluridovvismutaisurʹmybromvydelâûŝimikompoziciâmi
AT pavlovičii chemicalmechanicalpolishingofsolidsolutionscrystalsbasedonbismuthandantimonytelluridesbycompositionswhichreleasebromine
AT tomašikvn chemicalmechanicalpolishingofsolidsolutionscrystalsbasedonbismuthandantimonytelluridesbycompositionswhichreleasebromine
AT tomašikzf chemicalmechanicalpolishingofsolidsolutionscrystalsbasedonbismuthandantimonytelluridesbycompositionswhichreleasebromine
AT stratiičukib chemicalmechanicalpolishingofsolidsolutionscrystalsbasedonbismuthandantimonytelluridesbycompositionswhichreleasebromine
AT kopylai chemicalmechanicalpolishingofsolidsolutionscrystalsbasedonbismuthandantimonytelluridesbycompositionswhichreleasebromine
first_indexed 2025-12-07T13:19:26Z
last_indexed 2025-12-07T13:19:26Z
_version_ 1850855722917560320