APA (7th ed.) Citation

Круковський, С., Сукач, А., Тетьоркін, В., Мрихін, І., & Михащук, Ю. (2011). Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Круковський, С.І, А.В Сукач, В.В Тетьоркін, І.О Мрихін, and Ю.С Михащук. "Властивості подвійних гетеропереходів P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 2011.

MLA (8th ed.) Citation

Круковський, С.І, et al. "Властивості подвійних гетеропереходів P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011.

Warning: These citations may not always be 100% accurate.