Круковський, С., Сукач, А., Тетьоркін, В., Мрихін, І., & Михащук, Ю. (2011). Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Круковський, С.І, А.В Сукач, В.В Тетьоркін, І.О Мрихін, und Ю.С Михащук. "Властивості подвійних гетеропереходів P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 2011.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Круковський, С.І, et al. "Властивості подвійних гетеропереходів P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.