Круковський, С., Сукач, А., Тетьоркін, В., Мрихін, І., & Михащук, Ю. (2011). Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Круковський, С.І, А.В Сукач, В.В Тетьоркін, І.О Мрихін, та Ю.С Михащук. "Властивості подвійних гетеропереходів P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 2011.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Круковський, С.І, et al. "Властивості подвійних гетеропереходів P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.