Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p–n перехо...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116700 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С.І. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 74-80. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116700 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Круковський, С.І. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. 2017-05-13T20:40:45Z 2017-05-13T20:40:45Z 2011 Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С.І. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 74-80. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116700 621.315.592 Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p–n переходу в шарі n-InGaAsP. Досліджено механізми проходження темнового струму в інтервалі температур 77–378 К і виявлено, що за температур 77–250 К реалізуються тунельні струми за прямих та зворотних напруг зміщення. За температур Т > 290 К переважає генераційно-рекомбінаційний струм. Показано, що найбільш імовірною причиною тунельного струму є наявність дислокацій невідповідності в шарі InGaAsP, генерованих у процесі вирощування гетеропереходів. The double heterojunctions p⁺-InP/n-InGaAsP/ n-InP are grown by liquidphase epitaxy method and the relationship between technological regimes and their physical properties is established. It is shown that the use of zinc as an acceptor impurity in InP causes the formation of the diffusion p-n junction in n-InGaAsP. The carrier transport mechanisms are investigated in the temperature range 77-378 K and it is found that at temperature 77-250 K the tunnel current is realized at direct and reverse biases. At a temperature T > 290 K the generation-recombination current dominates. It is shown that most likely the reason for the tunneling current is the presence of mismatch dislocations in InGaAsP layer generated in heterojunctions during their growing. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів Properties of p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів |
| spellingShingle |
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів Круковський, С.І. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. |
| title_short |
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів |
| title_full |
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів |
| title_fullStr |
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів |
| title_full_unstemmed |
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів |
| title_sort |
властивості подвійних гетеропереходів p⁺-inp/n-ingaasp/n-inp, отриманих за різних технологічних режимів |
| author |
Круковський, С.І. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. |
| author_facet |
Круковський, С.І. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. |
| publishDate |
2011 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Properties of p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes |
| description |
Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p–n переходу в шарі n-InGaAsP. Досліджено механізми проходження темнового струму в інтервалі температур 77–378 К і виявлено, що за температур 77–250 К реалізуються тунельні струми за прямих та зворотних напруг зміщення. За температур Т > 290 К переважає генераційно-рекомбінаційний струм. Показано, що найбільш імовірною причиною тунельного струму є наявність дислокацій невідповідності в шарі InGaAsP, генерованих у процесі вирощування гетеропереходів.
The double heterojunctions p⁺-InP/n-InGaAsP/ n-InP are grown by liquidphase epitaxy method and the relationship between technological regimes and their physical properties is established. It is shown that the use of zinc as an acceptor impurity in InP causes the formation of the diffusion p-n junction in n-InGaAsP. The carrier transport mechanisms are investigated in the temperature range 77-378 K and it is found that at temperature 77-250 K the tunnel current is realized at direct and reverse biases. At a temperature T > 290 K the generation-recombination current dominates. It is shown that most likely the reason for the tunneling current is the presence of mismatch dislocations in InGaAsP layer generated in heterojunctions during their growing.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116700 |
| citation_txt |
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С.І. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 74-80. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT krukovsʹkiisí vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpotrimanihzaríznihtehnologíčnihrežimív AT sukačav vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpotrimanihzaríznihtehnologíčnihrežimív AT tetʹorkínvv vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpotrimanihzaríznihtehnologíčnihrežimív AT mrihínío vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpotrimanihzaríznihtehnologíčnihrežimív AT mihaŝukûs vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpotrimanihzaríznihtehnologíčnihrežimív AT krukovsʹkiisí propertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctionsgrownatdifferenttechnologicalregimes AT sukačav propertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctionsgrownatdifferenttechnologicalregimes AT tetʹorkínvv propertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctionsgrownatdifferenttechnologicalregimes AT mrihínío propertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctionsgrownatdifferenttechnologicalregimes AT mihaŝukûs propertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctionsgrownatdifferenttechnologicalregimes |
| first_indexed |
2025-11-27T22:34:59Z |
| last_indexed |
2025-11-27T22:34:59Z |
| _version_ |
1850852923280457728 |