Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів - Круковський, С.І.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мрихін, І.О.; Михащук, Ю.С. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p–n переходу в шарі n-InGaAsP. Досліджено механізми проходження темнового струму в інтервалі температур 77–378 К і виявлено, що за температур 77–250 К реалізуються тунельні струми за прямих та зворотних напруг зміщення. За температур Т > 290 К переважає генераційно-рекомбінаційний струм. Показано, що найбільш імовірною причиною тунельного струму є наявність дислокацій невідповідності в шарі InGaAsP, генерованих у процесі вирощування гетеропереходів. The double heterojunctions p⁺-InP/n-InGaAsP/ n-InP are grown by liquidphase epitaxy method and the relationship between technological regimes and their physical properties is established. It is shown that the use of zinc as an acceptor impurity in InP causes the formation of the diffusion p-n junction in n-InGaAsP. The carrier transport mechanisms are investigated in the temperature range 77-378 K and it is found that at temperature 77-250 K the tunnel current is realized at direct and reverse biases. At a temperature T > 290 K the generation-recombination current dominates. It is shown that most likely the reason for the tunneling current is the presence of mismatch dislocations in InGaAsP layer generated in heterojunctions during their growing.