Cover Image

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів

Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p–n перехо...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Date:2011
Main Authors: Круковський, С.І., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мрихін, І.О., Михащук, Ю.С.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116700
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С.І. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 74-80. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items