Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки

• Published in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Date: 2011
• Main Authors: Венгер, Е.Ф., Готовы, И., Шеховцов, Л.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116702
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 88-94. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при Т = 900 °С, характерно изменение знака фотоЭДС в области края поглощения GaAs. Кривые распределения ЭДС знакопеременные и имеют нелинейный характер. Определено, что отжиг при Т = 950 °С приводит к увеличению относительной неоднородности толщины области истощения и отсутствию изменения знака спектральной характеристики фотоЭДС. При этом сохраняется значительное влияние неоднородности изгиба зон в области истощения гетеросистемы на характер распределения латеральной ЭДС. Spectral characteristics of lateral photo-emf produced by modulated monochromatic illumination in NbN GaAs Schottky contacts (with 5 % nitrogen content in the niobium nitride film) have been studied. For the samples annealed at T = 900 °С, the photo-emf changes its sign near the GaAs absorption edge. The photo-emf distribution curves are alternating and nonlinear. It was found that thermal annealing at T = 950 °С results in an increase of relative nonuniformity of the depletion region thickness, while the sign of the photo-emf spectral curve does not change. In this case, considerable effect of band bending nonuniformity in the depletion region of the heterosystem under investigation on the character of lateral photo-emf distribution is retained.