Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки

Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки

Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при Т = 900 °С, характерно изменение знака фотоЭДС в области края по...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Date:2011
Main Authors: Венгер, Е.Ф., Готовы, И., Шеховцов, Л.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116702
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 88-94. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116702
record_format dspace
spelling Венгер, Е.Ф.
Готовы, И.
Шеховцов, Л.В.
2017-05-13T20:40:56Z
2017-05-13T20:40:56Z
2011
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 88-94. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
0233-7577
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116702
535.215.6
Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при Т = 900 °С, характерно изменение знака фотоЭДС в области края поглощения GaAs. Кривые распределения ЭДС знакопеременные и имеют нелинейный характер. Определено, что отжиг при Т = 950 °С приводит к увеличению относительной неоднородности толщины области истощения и отсутствию изменения знака спектральной характеристики фотоЭДС. При этом сохраняется значительное влияние неоднородности изгиба зон в области истощения гетеросистемы на характер распределения латеральной ЭДС.
Spectral characteristics of lateral photo-emf produced by modulated monochromatic illumination in NbN GaAs Schottky contacts (with 5 % nitrogen content in the niobium nitride film) have been studied. For the samples annealed at T = 900 °С, the photo-emf changes its sign near the GaAs absorption edge. The photo-emf distribution curves are alternating and nonlinear. It was found that thermal annealing at T = 950 °С results in an increase of relative nonuniformity of the depletion region thickness, while the sign of the photo-emf spectral curve does not change. In this case, considerable effect of band bending nonuniformity in the depletion region of the heterosystem under investigation on the character of lateral photo-emf distribution is retained.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
spellingShingle Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
Венгер, Е.Ф.
Готовы, И.
Шеховцов, Л.В.
title_short Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
title_full Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
title_fullStr Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
title_full_unstemmed Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
title_sort латеральная фотоэдс в неоднородном контакте шоттки
author Венгер, Е.Ф.
Готовы, И.
Шеховцов, Л.В.
author_facet Венгер, Е.Ф.
Готовы, И.
Шеховцов, Л.В.
publishDate 2011
language Russian
container_title Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
description Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при Т = 900 °С, характерно изменение знака фотоЭДС в области края поглощения GaAs. Кривые распределения ЭДС знакопеременные и имеют нелинейный характер. Определено, что отжиг при Т = 950 °С приводит к увеличению относительной неоднородности толщины области истощения и отсутствию изменения знака спектральной характеристики фотоЭДС. При этом сохраняется значительное влияние неоднородности изгиба зон в области истощения гетеросистемы на характер распределения латеральной ЭДС. Spectral characteristics of lateral photo-emf produced by modulated monochromatic illumination in NbN GaAs Schottky contacts (with 5 % nitrogen content in the niobium nitride film) have been studied. For the samples annealed at T = 900 °С, the photo-emf changes its sign near the GaAs absorption edge. The photo-emf distribution curves are alternating and nonlinear. It was found that thermal annealing at T = 950 °С results in an increase of relative nonuniformity of the depletion region thickness, while the sign of the photo-emf spectral curve does not change. In this case, considerable effect of band bending nonuniformity in the depletion region of the heterosystem under investigation on the character of lateral photo-emf distribution is retained.
issn 0233-7577
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116702
citation_txt Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 88-94. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT vengeref lateralʹnaâfotoédsvneodnorodnomkontaktešottki
AT gotovyi lateralʹnaâfotoédsvneodnorodnomkontaktešottki
AT šehovcovlv lateralʹnaâfotoédsvneodnorodnomkontaktešottki
AT vengeref lateralphotoemfinanonuniformschottkycontact
AT gotovyi lateralphotoemfinanonuniformschottkycontact
AT šehovcovlv lateralphotoemfinanonuniformschottkycontact
first_indexed 2025-12-07T19:52:42Z
last_indexed 2025-12-07T19:52:42Z
_version_ 1850880465793187840

Similar Items