Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Венгер, Е.Ф., Готовы, И., Шеховцов, Л.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116702
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 88-94. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при Т = 900 °С, характерно изменение знака фотоЭДС в области края по...