Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx
З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на класт...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116704 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862727963154317312 |
|---|---|
| author | Данько, В.А. Індутний, І.З. Коломис, О.Ф. Стрельчук, В.В. Шепелявий, П.Є. |
| author_facet | Данько, В.А. Індутний, І.З. Коломис, О.Ф. Стрельчук, В.В. Шепелявий, П.Є. |
| citation_txt | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш’яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ відбувається зменшення концентрації S–S- та збільшення концентрації As–Asзв ’язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення ΔEg (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As₂S₃/SiO₁,₅ шарах порівняно з суцільними As₂S₃ плівками. Ефект збільшення ΔEg у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As₂S₃, які знаходяться в діелектричній матриці.
The reversible photostimulated absorption edge shift (photodarkening), ΔEg, of As₂S₃ nanoparticles embedded into the SiO₁.₅ matrix is investigated with the use of optical methods (absorption in IR and visible rΔEgions, Raman spectroscopy). When forming the As₂S₃/SiO₁.₅ nanocomposites chalcogenide phases are separated into clusters enriched with arsenic or sulphur. As a result of the As₂S₃/SiO₁.₅ nanocomposites exposure the concentration of S-S bonds decreases and that of As-As bonds increases, which can give rise to photodarkening. As compared to continuous As₂S₃ films, the remarkable ΔEg increase (up to 4 times) with a decrease of chalcogenide particle sizes in the nanocomposite As₂S₃/SiO₁.₅ layers was observed. The effect of ΔEg increase in nanocomposites is related to a spatial confinement of a photoexcited carrier diffusion length in As₂S₃ nanoparticles embedded in a dielectric matrix.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:05:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116704 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:05:54Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Данько, В.А. Індутний, І.З. Коломис, О.Ф. Стрельчук, В.В. Шепелявий, П.Є. 2017-05-13T20:41:07Z 2017-05-13T20:41:07Z 2011 Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116704 621.385.832 З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш’яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ відбувається зменшення концентрації S–S- та збільшення концентрації As–Asзв ’язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення ΔEg (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As₂S₃/SiO₁,₅ шарах порівняно з суцільними As₂S₃ плівками. Ефект збільшення ΔEg у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As₂S₃, які знаходяться в діелектричній матриці. The reversible photostimulated absorption edge shift (photodarkening), ΔEg, of As₂S₃ nanoparticles embedded into the SiO₁.₅ matrix is investigated with the use of optical methods (absorption in IR and visible rΔEgions, Raman spectroscopy). When forming the As₂S₃/SiO₁.₅ nanocomposites chalcogenide phases are separated into clusters enriched with arsenic or sulphur. As a result of the As₂S₃/SiO₁.₅ nanocomposites exposure the concentration of S-S bonds decreases and that of As-As bonds increases, which can give rise to photodarkening. As compared to continuous As₂S₃ films, the remarkable ΔEg increase (up to 4 times) with a decrease of chalcogenide particle sizes in the nanocomposite As₂S₃/SiO₁.₅ layers was observed. The effect of ΔEg increase in nanocomposites is related to a spatial confinement of a photoexcited carrier diffusion length in As₂S₃ nanoparticles embedded in a dielectric matrix. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx Reversible photodarkening in composite As₂S₃/SiOx nanostructures Article published earlier |
| spellingShingle | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx Данько, В.А. Індутний, І.З. Коломис, О.Ф. Стрельчук, В.В. Шепелявий, П.Є. |
| title | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_alt | Reversible photodarkening in composite As₂S₃/SiOx nanostructures |
| title_full | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_fullStr | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_full_unstemmed | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_short | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_sort | реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах as₂s₃/siox |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116704 |
| work_keys_str_mv | AT danʹkova reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox AT índutniiíz reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox AT kolomisof reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox AT strelʹčukvv reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox AT šepelâviipê reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox AT danʹkova reversiblephotodarkeningincompositeas2s3sioxnanostructures AT índutniiíz reversiblephotodarkeningincompositeas2s3sioxnanostructures AT kolomisof reversiblephotodarkeningincompositeas2s3sioxnanostructures AT strelʹčukvv reversiblephotodarkeningincompositeas2s3sioxnanostructures AT šepelâviipê reversiblephotodarkeningincompositeas2s3sioxnanostructures |