Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Данько, В.А., Індутний, І.З., Коломис, О.Ф., Стрельчук, В.В., Шепелявий, П.Є.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116704
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на класт...