Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах

• Published in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Date: 2011
• Main Authors: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116705
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 111-118. — Бібліогр.: 21 назв. — укр.

Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного зміщення ≤0,4 В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За нижчих температур Т < 162 К у дослідженому діапазоні напруг зміщення переважає тунельний струм. Запропоновано модель протікання зворотного тунельного струму за участю протяжних локальних дефектів, що перетинають активну область p–n-переходів, яка задовільно пояснює експериментальні результати. The current transport mechanisms are investigated in InAs p-n-junctions, prepared by cadmium diffusion into substrates of n-type conductivity. It is shown that the diffusion current is observed at reverse bias voltages ≤0.4 in the temperature interval 162-291 К. At lower temperatures T < 162 K at the reverse biases used in the investigation the tunneling current dominantes. A model of the tunneling current via extended defects intersecting the active region of p-n-junctions is proposed, which satisfactorily explains experimental results.