Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного зміщення ≤0,4 В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За ни...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116705 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 111-118. — Бібліогр.: 21 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862548541037084672 |
|---|---|
| author | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. |
| author_facet | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. |
| citation_txt | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 111-118. — Бібліогр.: 21 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного зміщення ≤0,4 В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За нижчих температур Т < 162 К у дослідженому діапазоні напруг зміщення переважає тунельний струм. Запропоновано модель протікання зворотного тунельного струму за участю протяжних локальних дефектів, що перетинають активну область p–n-переходів, яка задовільно пояснює експериментальні результати.
The current transport mechanisms are investigated in InAs p-n-junctions, prepared by cadmium diffusion into substrates of n-type conductivity. It is shown that the diffusion current is observed at reverse bias voltages ≤0.4 in the temperature interval 162-291 К. At lower temperatures T < 162 K at the reverse biases used in the investigation the tunneling current dominantes. A model of the tunneling current via extended defects intersecting the active region of p-n-junctions is proposed, which satisfactorily explains experimental results.
|
| first_indexed | 2025-11-25T18:22:09Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116705 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-25T18:22:09Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. 2017-05-13T20:41:14Z 2017-05-13T20:41:14Z 2011 Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 111-118. — Бібліогр.: 21 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116705 21.315.592 Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного зміщення ≤0,4 В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За нижчих температур Т < 162 К у дослідженому діапазоні напруг зміщення переважає тунельний струм. Запропоновано модель протікання зворотного тунельного струму за участю протяжних локальних дефектів, що перетинають активну область p–n-переходів, яка задовільно пояснює експериментальні результати. The current transport mechanisms are investigated in InAs p-n-junctions, prepared by cadmium diffusion into substrates of n-type conductivity. It is shown that the diffusion current is observed at reverse bias voltages ≤0.4 in the temperature interval 162-291 К. At lower temperatures T < 162 K at the reverse biases used in the investigation the tunneling current dominantes. A model of the tunneling current via extended defects intersecting the active region of p-n-junctions is proposed, which satisfactorily explains experimental results. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodiodes Article published earlier |
| spellingShingle | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. |
| title | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах |
| title_alt | Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodiodes |
| title_full | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах |
| title_fullStr | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах |
| title_full_unstemmed | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах |
| title_short | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах |
| title_sort | зворотні вах та механізми протікання струму в inas-фотодіодах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116705 |
| work_keys_str_mv | AT sukačav zvorotnívahtamehanízmiprotíkannâstrumuvinasfotodíodah AT tetʹorkínvv zvorotnívahtamehanízmiprotíkannâstrumuvinasfotodíodah AT voroŝenkoat zvorotnívahtamehanízmiprotíkannâstrumuvinasfotodíodah AT kravecʹkiimû zvorotnívahtamehanízmiprotíkannâstrumuvinasfotodíodah AT lukânenkoví zvorotnívahtamehanízmiprotíkannâstrumuvinasfotodíodah AT lucišiníg zvorotnívahtamehanízmiprotíkannâstrumuvinasfotodíodah AT sukačav reversecurrentvoltagecharacteristicsandcarriertransportmechanismsininasphotodiodes AT tetʹorkínvv reversecurrentvoltagecharacteristicsandcarriertransportmechanismsininasphotodiodes AT voroŝenkoat reversecurrentvoltagecharacteristicsandcarriertransportmechanismsininasphotodiodes AT kravecʹkiimû reversecurrentvoltagecharacteristicsandcarriertransportmechanismsininasphotodiodes AT lukânenkoví reversecurrentvoltagecharacteristicsandcarriertransportmechanismsininasphotodiodes AT lucišiníg reversecurrentvoltagecharacteristicsandcarriertransportmechanismsininasphotodiodes |