Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного зміщення ≤0,4 В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За ни...
Saved in:
| Date: | 2011 |
|---|---|
| Main Authors: | Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Series: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116705 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 111-118. — Бібліогр.: 21 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2011) -
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2010) -
Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2013) -
InAs фотодіоди (огляд)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2015) -
Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній
by: Milovanov, Yu.S., et al.
Published: (2012)