Хіміко-механічне полірування монокристалів CdTe бромвиділяючими розчинами H₂O₂—HBr—етиленгліколь

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2011
• Автор: Стратійчук, І.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116708
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Хіміко-механічне полірування монокристалів CdTe бромвиділяючими розчинами H₂O₂—HBr—етиленгліколь / І.Б. Стратійчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 134-139. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Досліджено процес хіміко-механічного полірування напівпровідникових монокристалів CdTe бромвиділяючими травильними композиціями на основі водних розчинів H₂O₂–HBr–етиленгліколь. З’ясовано вплив природи в’язкого органічного компоненту на швидкість травлення і якість полірування поверхні кристалів. Оптимізовано склади полірувальних травильних композицій та розроблено режими хіміко-механічного полірування кадмій телуриду. За допомогою профілографічного та металографічного аналізів досліджено стан полірованої поверхні та визначено її шорсткість. Chemical-mechanical polishing of the CdTe semiconductor single crystals by the bromine-releasing etchant compositions based on the H₂O₂–HBr–ethylene glycol aqueous solutions has been investigated. The influence of the viscous organic component on the etching rate and surface crystals polishing quality has been determined. The compositions of polishing etchants have been optimized and the conditions of the CdTe chemical mechanic polishing have been developed. The polishing surfaces and their roughness have been investigated using surface profilogram and metallography.