Охрименко, О. (2012). Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор). Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Охрименко, О.Б. "Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 2012.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Охрименко, О.Б. "Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.