Охрименко, О. (2012). Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор). Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Охрименко, О.Б. "Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Охрименко, О.Б. "Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.