Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2012
• Автор: Охрименко, О.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116712
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос.

Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного состава, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в структурах SiC/por-SiC/TiO₂. In the review was systematize of available literature data on the properties of the por-SiC as well as the peculiarities of structure formation SiC/por-SiC/TiO₂, where the porous carbide is used as a buffer layer between the oxide film of TiO₂ and silicon carbide substrate. The features of the morphology, elemental composition, photoluminescence and Raman scattering of light in structures SiC/por-SiC/TiO₂ was considered. Keywords: porous silicon carbide, photoluminescence, Raman scattering.