Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного соста...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116712 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862679847164182528 |
|---|---|
| author | Охрименко, О.Б. |
| author_facet | Охрименко, О.Б. |
| citation_txt | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного состава, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в структурах SiC/por-SiC/TiO₂.
In the review was systematize of available literature data on the properties of the por-SiC as well as the peculiarities of structure formation SiC/por-SiC/TiO₂, where the porous carbide is used as a buffer layer between the oxide film of TiO₂ and silicon carbide substrate. The features of the morphology, elemental composition, photoluminescence and Raman scattering of light in structures SiC/por-SiC/TiO₂ was considered. Keywords: porous silicon carbide, photoluminescence, Raman scattering.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:45:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116712 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:45:04Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Охрименко, О.Б. 2017-05-14T12:11:52Z 2017-05-14T12:11:52Z 2012 Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116712 538.9; 535.37 Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного состава, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в структурах SiC/por-SiC/TiO₂. In the review was systematize of available literature data on the properties of the por-SiC as well as the peculiarities of structure formation SiC/por-SiC/TiO₂, where the porous carbide is used as a buffer layer between the oxide film of TiO₂ and silicon carbide substrate. The features of the morphology, elemental composition, photoluminescence and Raman scattering of light in structures SiC/por-SiC/TiO₂ was considered. Keywords: porous silicon carbide, photoluminescence, Raman scattering. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review) Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) Охрименко, О.Б. |
| title | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_alt | Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review) |
| title_full | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_fullStr | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_full_unstemmed | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_short | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_sort | влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116712 |
| work_keys_str_mv | AT ohrimenkoob vliâniebufernogosloâporistogokarbidakremniânaformirovaniegranicyrazdelasoksidnymsloemobzor AT ohrimenkoob effectofbufferlayerofporoussiliconcarbideontheinterfacewiththeoxidelayerreview |