Cover Image

Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)

Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного соста...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Date:2012
Main Author: Охрименко, О.Б.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116712
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items