Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116714
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Досліджено анізотропію термоЕРС Δα (при електрон-фононному захопленні) в умовах направленої пружної деформації, встановлено зв’язок між недіагональними компонентами тензора термоЕРС α як для n-Si, так і для n-Ge, а також з’ясовано причини, які призводять у випадку багатодолинних напівпровідників (навіть за незначної анізотропії розсіяння) до комутаційного ефекту, характерного для недіагональних компонентів. The anisotropy of thermoelectromotive Δα (at the electron-phonon entrainment) in the conditions of the directed elastic deformation was studied, the connection between the non-diagonal components of the thermoelectromotive tensor α both for n-Si, and for n-Ge was established, as well as the reasons that lead in the case of many-valley semiconductors (even at the insignificant scattering anisotropy) to the switching effect, typical for the non-diagonal components, were clarified.