Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин

• Published in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Date: 2012
• Main Authors: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116714
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Досліджено анізотропію термоЕРС Δα (при електрон-фононному захопленні) в умовах направленої пружної деформації, встановлено зв’язок між недіагональними компонентами тензора термоЕРС α як для n-Si, так і для n-Ge, а також з’ясовано причини, які призводять у випадку багатодолинних напівпровідників (н...