Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол
Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116715 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол / В.А. Данько, І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, О.С. Литвин, М.В. Луканюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 51-58. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116715 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Данько, В.А. Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Литвин, О.С. Луканюк, М.В. 2017-05-14T12:18:17Z 2017-05-14T12:18:17Z 2012 Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол / В.А. Данько, І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, О.С. Литвин, М.В. Луканюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 51-58. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116715 535.421;621.793/794 Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з поглинанням у плівці ХСН в області краю міжзонних переходів. Показано, що новий фотостимульований ефект дає змогу реалізувати фотолітографічний процес (у тому числі процес інтерференційної фотолітографії) на шарах ХСН, відпалених за температури, близької до температури розм’якшення халькогенідного скла, шляхом одночасного експонування та селективного протравлювання таких шарів. Обговорюється можливий механізм фототравлення ХСН. It is found the photoinduced enhancement in solubility of annealed films of chalcogenide glasses (ChG) in amine-based selective etchants. With increasing of irradiation intensity the rate of the films etching rises, and its spectral dependence correlates with absorption of ChG films in the spectral range near absorption edge. The new photoinduced effect allows realize a photolithography (including the process of interference photolithography) on the ChG layers, annealed near the glass-transition temperature, by the simultaneous exposure and selective etching of such layers. The possible mechanism of photo-induced etching of ChG films is discussed. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол Photoinduced etching of thin films of chalcogenide glasses Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| spellingShingle |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол Данько, В.А. Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Литвин, О.С. Луканюк, М.В. |
| title_short |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| title_full |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| title_fullStr |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| title_full_unstemmed |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| title_sort |
інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| author |
Данько, В.А. Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Литвин, О.С. Луканюк, М.В. |
| author_facet |
Данько, В.А. Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Литвин, О.С. Луканюк, М.В. |
| publishDate |
2012 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Photoinduced etching of thin films of chalcogenide glasses |
| description |
Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з поглинанням у плівці ХСН в області краю міжзонних переходів. Показано, що новий фотостимульований ефект дає змогу реалізувати фотолітографічний процес (у тому числі процес інтерференційної фотолітографії) на шарах ХСН, відпалених за температури, близької до температури розм’якшення халькогенідного скла, шляхом одночасного експонування та селективного протравлювання таких шарів. Обговорюється можливий механізм фототравлення ХСН.
It is found the photoinduced enhancement in solubility of annealed films of chalcogenide glasses (ChG) in amine-based selective etchants. With increasing of irradiation intensity the rate of the films etching rises, and its spectral dependence correlates with absorption of ChG films in the spectral range near absorption edge. The new photoinduced effect allows realize a photolithography (including the process of interference photolithography) on the ChG layers, annealed near the glass-transition temperature, by the simultaneous exposure and selective etching of such layers. The possible mechanism of photo-induced etching of ChG films is discussed.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116715 |
| citation_txt |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол / В.А. Данько, І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, О.С. Литвин, М.В. Луканюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 51-58. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT danʹkova ínterferencíinafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT índutniiíz ínterferencíinafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT minʹkoví ínterferencíinafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT šepelâviipê ínterferencíinafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT litvinos ínterferencíinafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT lukanûkmv ínterferencíinafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT danʹkova photoinducedetchingofthinfilmsofchalcogenideglasses AT índutniiíz photoinducedetchingofthinfilmsofchalcogenideglasses AT minʹkoví photoinducedetchingofthinfilmsofchalcogenideglasses AT šepelâviipê photoinducedetchingofthinfilmsofchalcogenideglasses AT litvinos photoinducedetchingofthinfilmsofchalcogenideglasses AT lukanûkmv photoinducedetchingofthinfilmsofchalcogenideglasses |
| first_indexed |
2025-12-07T19:02:49Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:02:49Z |
| _version_ |
1850877326476181504 |