Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2012
• ISSN: 0233-7577
• Hauptverfasser: Данько, В.А., Індутний, І.З., Минько, В.І., Шепелявий, П.Є., Литвин, О.С., Луканюк, М.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116715
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол / В.А. Данько, І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, О.С. Литвин, М.В. Луканюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 51-58. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.

Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з...