Круковський, C., Сукач, А., Тетьоркін, В., Мрихін, І., & Михащук, Ю. (2012). Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Круковський, C.I, А.В Сукач, В.В Тетьоркін, І.О Мрихін, und Ю.С Михащук. "Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів P+-InP/n-InGaAsP/n-InP." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 2012.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Круковський, C.I, et al. "Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів P+-InP/n-InGaAsP/n-InP." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.