Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p⁺-InP шару, легованого цинком...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116717 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP / C.I. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 64-69. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862726986374316032 |
|---|---|
| author | Круковський, C.I. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. |
| author_facet | Круковський, C.I. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. |
| citation_txt | Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP / C.I. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 64-69. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p⁺-InP шару, легованого цинком, призводить до збігу металургійної та електричної гетеромеж, що обумовлю є реалізацію ефекту «широкозонного вікна» на спектрах фоточутливості гетеропереход ів. Проаналізовано еволюцію спектрів електролюмінесценції гетеропереход ів залежно від технологічних режимів їх вирощування і показано можливість їх використання для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з λmax = 1,06 мкм.
The effect of technological regimes of growing of double heterojunctions p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP by LPE on their photovoltaic properties is investigated. It is shown that growing of additional buffer layer of n-InP on n-InGaAsP and reducing the growth time of emitter p⁺-InP layer doped with zinc leads to match metallurgical and electrical heterojunctions, which makes the implementation of «wide-window» effect in the photosensitivity spectra of heterojunctions. The evolution of electroluminescence spectra of heterojunctions is analyzed, depending on thechnological regime of growth and possibility of using them to create efficient IR LED with λmax = 1,06 microns is shown.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:00:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116717 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:00:40Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Круковський, C.I. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. 2017-05-14T12:22:35Z 2017-05-14T12:22:35Z 2012 Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP / C.I. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 64-69. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116717 621.315.592 Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p⁺-InP шару, легованого цинком, призводить до збігу металургійної та електричної гетеромеж, що обумовлю є реалізацію ефекту «широкозонного вікна» на спектрах фоточутливості гетеропереход ів. Проаналізовано еволюцію спектрів електролюмінесценції гетеропереход ів залежно від технологічних режимів їх вирощування і показано можливість їх використання для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з λmax = 1,06 мкм. The effect of technological regimes of growing of double heterojunctions p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP by LPE on their photovoltaic properties is investigated. It is shown that growing of additional buffer layer of n-InP on n-InGaAsP and reducing the growth time of emitter p⁺-InP layer doped with zinc leads to match metallurgical and electrical heterojunctions, which makes the implementation of «wide-window» effect in the photosensitivity spectra of heterojunctions. The evolution of electroluminescence spectra of heterojunctions is analyzed, depending on thechnological regime of growth and possibility of using them to create efficient IR LED with λmax = 1,06 microns is shown. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP Photoelectrical properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions Article published earlier |
| spellingShingle | Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP Круковський, C.I. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мрихін, І.О. Михащук, Ю.С. |
| title | Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_alt | Photoelectrical properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions |
| title_full | Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_fullStr | Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_full_unstemmed | Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_short | Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP |
| title_sort | фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-inp/n-ingaasp/n-inp |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116717 |
| work_keys_str_mv | AT krukovsʹkiici fotoelektričnívlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninp AT sukačav fotoelektričnívlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninp AT tetʹorkínvv fotoelektričnívlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninp AT mrihínío fotoelektričnívlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninp AT mihaŝukûs fotoelektričnívlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninp AT krukovsʹkiici photoelectricalpropertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctions AT sukačav photoelectricalpropertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctions AT tetʹorkínvv photoelectricalpropertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctions AT mrihínío photoelectricalpropertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctions AT mihaŝukûs photoelectricalpropertiesofpinpningaaspninpdoubleheterojunctions |