Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига пр...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116719 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862711594684776448 |
|---|---|
| author | Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| author_facet | Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| citation_txt | Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига при Т = 850 °С спектральные зависимости всех исследованных образцов с содержанием азота в пленке NbN от 2 до 20 % имеют одинаковую форму с двумя максимумами противоположного знака, что указывает на формирование контакта Шоттки между NbN и GaAs. Отжиг при Т = 900 °С приводит к изменению формы спектральной характеристики для образцов с концентрацией азота в пленке NbN 15 и 20 %, формированию проводящего переходного слоя в области истощения контакта Шоттки и ухудшению его электрофизических характеристик. Вследствие отжига при Т = 950 °С происходит деградация контакта Шоттки для всего исследованного диапазона концентрации азота в пленке NbN.
We studied the degradation process in NbN-GaAs Schottky contact by measuring spectral characteristics of lateral emf. The results obtained made it possible to establish a link between the spectrum form, nitrogen concentration in the NbN film and annealing temperature. After thermal annealing at T = 850 °C all the samples studied, with nitrogen content in the NbN film from 2 up to 20 %, demonstrate spectra of the same form, with two peaks of opposite signs. This indicates formation of Schottky contact between NbN and GaAs. Annealing at T = 900 °C results in a change of spectral characteristic form for the samples with nitrogen concentration in the NbN film of 15 an 20 % as well as formation of a conducting transition layer in the depletion region of Schottky contact and deterioration of its electrical characteristics. Annealing at T = 950 °C leads to Schottky contact degradation for the whole range of nitrogen concentration in the NbN film.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:31:57Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116719 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:31:57Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. 2017-05-14T12:28:59Z 2017-05-14T12:28:59Z 2012 Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116719 535.215.6 Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига при Т = 850 °С спектральные зависимости всех исследованных образцов с содержанием азота в пленке NbN от 2 до 20 % имеют одинаковую форму с двумя максимумами противоположного знака, что указывает на формирование контакта Шоттки между NbN и GaAs. Отжиг при Т = 900 °С приводит к изменению формы спектральной характеристики для образцов с концентрацией азота в пленке NbN 15 и 20 %, формированию проводящего переходного слоя в области истощения контакта Шоттки и ухудшению его электрофизических характеристик. Вследствие отжига при Т = 950 °С происходит деградация контакта Шоттки для всего исследованного диапазона концентрации азота в пленке NbN. We studied the degradation process in NbN-GaAs Schottky contact by measuring spectral characteristics of lateral emf. The results obtained made it possible to establish a link between the spectrum form, nitrogen concentration in the NbN film and annealing temperature. After thermal annealing at T = 850 °C all the samples studied, with nitrogen content in the NbN film from 2 up to 20 %, demonstrate spectra of the same form, with two peaks of opposite signs. This indicates formation of Schottky contact between NbN and GaAs. Annealing at T = 900 °C results in a change of spectral characteristic form for the samples with nitrogen concentration in the NbN film of 15 an 20 % as well as formation of a conducting transition layer in the depletion region of Schottky contact and deterioration of its electrical characteristics. Annealing at T = 950 °C leads to Schottky contact degradation for the whole range of nitrogen concentration in the NbN film. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге Schottky contact degradation at thermal annealing Article published earlier |
| spellingShingle | Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| title | Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_alt | Schottky contact degradation at thermal annealing |
| title_full | Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_fullStr | Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_full_unstemmed | Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_short | Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_sort | деградация контакта шоттки при термическом отжиге |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116719 |
| work_keys_str_mv | AT vengeref degradaciâkontaktašottkipritermičeskomotžige AT gotovyi degradaciâkontaktašottkipritermičeskomotžige AT šehovcovlv degradaciâkontaktašottkipritermičeskomotžige AT vengeref schottkycontactdegradationatthermalannealing AT gotovyi schottkycontactdegradationatthermalannealing AT šehovcovlv schottkycontactdegradationatthermalannealing |