Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге

Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига пр...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Дата:	2012
Автори:	Венгер, Е.Ф., Готовы, И., Шеховцов, Л.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116719
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116719
record_format	dspace
spelling	Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. 2017-05-14T12:28:59Z 2017-05-14T12:28:59Z 2012 Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116719 535.215.6 Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига при Т = 850 °С спектральные зависимости всех исследованных образцов с содержанием азота в пленке NbN от 2 до 20 % имеют одинаковую форму с двумя максимумами противоположного знака, что указывает на формирование контакта Шоттки между NbN и GaAs. Отжиг при Т = 900 °С приводит к изменению формы спектральной характеристики для образцов с концентрацией азота в пленке NbN 15 и 20 %, формированию проводящего переходного слоя в области истощения контакта Шоттки и ухудшению его электрофизических характеристик. Вследствие отжига при Т = 950 °С происходит деградация контакта Шоттки для всего исследованного диапазона концентрации азота в пленке NbN. We studied the degradation process in NbN-GaAs Schottky contact by measuring spectral characteristics of lateral emf. The results obtained made it possible to establish a link between the spectrum form, nitrogen concentration in the NbN film and annealing temperature. After thermal annealing at T = 850 °C all the samples studied, with nitrogen content in the NbN film from 2 up to 20 %, demonstrate spectra of the same form, with two peaks of opposite signs. This indicates formation of Schottky contact between NbN and GaAs. Annealing at T = 900 °C results in a change of spectral characteristic form for the samples with nitrogen concentration in the NbN film of 15 an 20 % as well as formation of a conducting transition layer in the depletion region of Schottky contact and deterioration of its electrical characteristics. Annealing at T = 950 °C leads to Schottky contact degradation for the whole range of nitrogen concentration in the NbN film. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге Schottky contact degradation at thermal annealing Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
spellingShingle	Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В.
title_short	Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
title_full	Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
title_fullStr	Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
title_full_unstemmed	Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
title_sort	деградация контакта шоттки при термическом отжиге
author	Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В.
author_facet	Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В.
publishDate	2012
language	Russian
container_title	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format	Article
title_alt	Schottky contact degradation at thermal annealing
description	Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига при Т = 850 °С спектральные зависимости всех исследованных образцов с содержанием азота в пленке NbN от 2 до 20 % имеют одинаковую форму с двумя максимумами противоположного знака, что указывает на формирование контакта Шоттки между NbN и GaAs. Отжиг при Т = 900 °С приводит к изменению формы спектральной характеристики для образцов с концентрацией азота в пленке NbN 15 и 20 %, формированию проводящего переходного слоя в области истощения контакта Шоттки и ухудшению его электрофизических характеристик. Вследствие отжига при Т = 950 °С происходит деградация контакта Шоттки для всего исследованного диапазона концентрации азота в пленке NbN. We studied the degradation process in NbN-GaAs Schottky contact by measuring spectral characteristics of lateral emf. The results obtained made it possible to establish a link between the spectrum form, nitrogen concentration in the NbN film and annealing temperature. After thermal annealing at T = 850 °C all the samples studied, with nitrogen content in the NbN film from 2 up to 20 %, demonstrate spectra of the same form, with two peaks of opposite signs. This indicates formation of Schottky contact between NbN and GaAs. Annealing at T = 900 °C results in a change of spectral characteristic form for the samples with nitrogen concentration in the NbN film of 15 an 20 % as well as formation of a conducting transition layer in the depletion region of Schottky contact and deterioration of its electrical characteristics. Annealing at T = 950 °C leads to Schottky contact degradation for the whole range of nitrogen concentration in the NbN film.
issn	0233-7577
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116719
citation_txt	Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT vengeref degradaciâkontaktašottkipritermičeskomotžige AT gotovyi degradaciâkontaktašottkipritermičeskomotžige AT šehovcovlv degradaciâkontaktašottkipritermičeskomotžige AT vengeref schottkycontactdegradationatthermalannealing AT gotovyi schottkycontactdegradationatthermalannealing AT šehovcovlv schottkycontactdegradationatthermalannealing
first_indexed	2025-12-07T17:31:57Z
last_indexed	2025-12-07T17:31:57Z
_version_	1850871609719521280

Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге

Репозитарії

Схожі ресурси